脉冲功率技术中高速隔离型MOSFET驱动电路研究.pdfVIP

2009年全国电工理论与新技术学术年会论文集 脉冲功率技术中高速隔离型MOSFET驱动电路的研究 齐琛，陈希有 大连理工大学电气工程与应用电子技术系，辽宁大连l16024 摘要：随着半导体技术的发展，功率MOSFET因其体积小、重量轻、成本低和响应速度快而被越来越广泛 地应用于脉冲功率源中。本文根据MOSFET的开关过程，分别从器件本身和驱动电路的两个方面，讨论了 路和参数。实验验证了本文所提出的三种驱动电路的有效性和实用性。实验结果表明，MOSFET的开通时间 均小于lOns。 关键宇：脉冲功率，功率MOSFET，隔离，高速，纳秒。 Researchon Electrical·-IsolatedMOSFETDriverCircuit High--Speed inPulsedPower Technology Chen，Chen Oi Xiyo