SGOI新材料制备和PⅢ硅基发光材料的研究.pdf

中文搐垂 sGoI新材料制备与Pill硅基发光材料研究 安正华 导师：林成鲁研究员，朱剑豪教授 摘要 合SiGe和SOI两种先进技术的优势，在将来高速、低耗、高密集成电路 以及光电集成、系统级芯片(System．On—Chip)等方面有着重要的应用前 景，尤其是在实现具有更高载流子迁移率的应变硅结构方面有着不可替代 的优势。但是，SGOI的材料研究难度大，目前还处于起步阶段。本论文 提出南接从膺晶SiGe薄膜出发，采用S1MOX技术制备SGOI新材料的方 案，并进行了系统的研究工作。 另一方面，在硅基发光研究领域，尽管不断有新进展，但是都离实用 的大规模硅基发光器件的道路尚远。等离子体浸没式离子注入(PIII)技 术虽已在微电子领域中被成功应用于掺杂和绝缘层上硅(SOI)材料制各 等，但是在硅基光电子领域仍为空白。本沦文尝试采用PIII技术在硅基卜 进行改性，包括氧离子注入和SiC生艮两方面。 本论文正是在上述背景下，结合中科院上海微系统所国家重点实验室 和香港城市大学等离子体实验室的设备条件，在中科院创新课