P_I界面处理对a_Si_H柔性太阳能电池性能的影响.pdfVIP

　第 37卷 第 5期 　 　　 　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　Vol. 37　No. 5 　 2008年 10 月 　　　　　　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S 　　　　　　　 O ctober, 2008 　 P / I界面处理对 aS i : H柔性太阳能 电池性能的影响 雷青松 , 徐火希 , 王晓晶, 季 　峰, 徐静平 (华中科技大学电子科学与技术系 ,武汉 430074 ) ( ) 摘要 :采用等离子体辅助化学汽相沉积 PECVD 技术制备本征非晶硅薄膜 ,对 p / i界面进行处理 。在此基础上 ,制 (μ ) 备 p 型微晶硅 cSi ∶H 薄膜与柔性太阳能电池 。对 p 型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究 。结果表明:对 p / i 界面采用 H 等离子体处理 ,再引入一定厚度的成核层 ,可以成功得到高电导率的 p 型微晶硅窗口层 ,提高柔性太阳 能电池的光伏特性 。其中的成核层 ,不仅促进微晶相 p 层的生长 ,还可以起到界面缓冲层的作用 。 关键词 : p 型微晶硅 ;界面处理 ;柔性太阳能电池 中图分类号 : O78 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2008) Influence of the P / I In terface Trea tm en t on the Properties of a S i ∶H Solar Cells L E I Q ing song, X U H uox i, WAN G X iaoj ing, J I F eng, X U J ing p ing (D ep artm ent of Electron ic s Science and Technology, Huazhong Un iversity of Science and Technology, W uhan 430074 , Ch ina) (R eceived 9 J anua ry 2008, accep ted 15 M ay 2008) A b stract: In trin sic amorp hou s silicon th in film s were depo sited by p la sm a enhanced chem ical vapor ( ) ( μ ) depo sition PECVD . p typ e m icrocrystalline silicon cSi ∶H th in film s and flexib le so lar cells were then depo sited after the p / i in terface treated. Prop ertie s of the p typ e silicon th in film s and so lar cells μ were studied. R e