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第 44 卷增刊 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 44, Suppl.
2010 年 9 月 Atomic Energy Science and Technology Sep. 2010
GaN 肖特基核辐射探测器对X 射线的
响应时间特性研究
付 凯 1，2 ，于国浩 1 ，陆 敏 1，*
（1. 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏 苏州 215123 ；2. 中国科学院 研究生院，北京 100049 ）
摘要：通过制作大面积 GaN 肖特基X 射线探测器，研究了 GaN 肖特基探测器对X 射线的时间响应特
性。实验采用 Fe 掺杂的高阻自支撑 GaN 片来制备器件，对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对
所测得的实验结果，对其内部机理进行了分析，提出了 1 个 GaN 肖特基探测器对X 射线照射下的时间
响应的理论模型，得到非常好的拟合结果。实验发现，由于高阻层的存在，GaN 肖特基探测器具有
很高的信噪比，即使在可能的光淬灭效应的影响下，探测器在 200 V 反向偏压下的信噪比仍可达
到 80 左右。
关键词：GaN ；肖特基探测器；X 射线；响应时间
中图分类号：TN304.23 文献标志码：A 文章编号：1000-6931 （2010 ）S0-0449-04
Time Response of GaN Schottky Detector for X-ray Detection
FU Kai1, 2 1 1, *
，YU Guo-hao ，LU Min
（1. Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Science, Suzhou 215123, China;
2. Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China）
Abstract: Time response of GaN Schottky detector with a large area to X-ray was studied.
Using a Fe-doped GaN high resistive film to make the detector, the time response under
different bias was tested. For the measured results, a theoretical model of time response of
GaN Schottky detector to X-ray irradiation was proposed, and its internal mechanism was
studied with a very good fitting results. It is found, due to the presence of high resistivity layer,
the GaN Schottky detector can have a high signal to noise ratio of about 80 at reverse bias of
200 V, even in the possible effects of
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