碲锌镉探测器保护环的研究.pdfVIP

碲锌镉探测器保护环的研究 张岚，李元景，朱维彬，郑晓翠，林德序，罗丛，毛绍基 (同方威视技术股份有限公司，北京，100084) 李元景，邓智 (清华大学，北京，100084) 摘要。碲锌镉探测器的保护环可以降低表面漏电流，成形电场，提高电荷的收集能力．粘贴 在探测器侧壁的保护环，也可感应探测器内部的电荷移动，产生信号，本文就是针对这一特 性进行分析研究的。单双保护环存在时，模拟了探测器内部的电场分布，提出了双保护环的 概念，测试了双保护环探测到的辐射信号和伽玛能谱，并预测了它们的应用． 关键词lCdZnTe，半导体探测器，保护环 一．引言 碲锌镉半导体探测器具有高的探测效率，室温下可获得高的能量分辨率，但由于晶体内 部的缺陷及其分布的非均匀性，引起探测器的信号幅度随产生信号的不同位置而发生变化， 同时表面的漏电流也影响了低能峰的分辨能力．为解决这一问题，出现了共平面栅极结构的 CZT探测器[51。其中保护环的使用，既减小了表面漏电流的影响，也成形了阳极面附近的 电场，实现了单极性电荷敏感的收集方式，提高了CZT探测器的能量分辨能力． 由于位于CZT探测器侧面的保护环，也会感应晶体内部的电荷移动，并产生信号，所以 我们从理论计算和实验两方面对保护环的性能进行了研究．本文给出了加保护环后CZ?探测 器内部的电场变化，同时实验测试了保护环的信号和能谱． 二．带保护环的CZT探测器的电场模拟计算 用于成形电场和降低漏电流的保护环。可制备在CZT探测器阳极平面上阳极的周围，并 离阳极边沿一定的距离，也可制备在阴阳两极间的探测器侧面．因为希望保护环提供反应发 生的位置信息，所以我们的研究重点是在探测器侧壁上的保护环． 我们首先模拟计算了平面金电极的CZT探测器侧壁上只有单保护环存在时的电场情况 极面各0．5ms．模拟计算的坐标系是以探测器中心点为坐标原点，X和Y轴组成的平面平行 于电极平面，Z轴是垂直电极面的，负Z值是原点与阴极面之间的位置，正Z值是原点与阳 极面之间的位置。阴极加电压-1000V，阳极电位为0V，保护环电位为OV。 276 2一日日勺自**$ b 6·，钿∞^#ⅢE＆鲫＆o ‘县I_h∞‘#Ⅲgt鄹目*o-H∞自**☆ ：、：、I j。∥-、 矗≥j毒。～1、≯，o，一+一。 、 ，一一 ∥孓一 ．。 ≯≤ ：!， i：．心≤囊》≥疆◇。。“7 ；、。一一_i一一1‘≮。j二冀≯等≥n Y：f*… xB1…m’ 1。 x：…“。一i vn一一 三．保护环信号的收集 保护环可以成形电场．减小表面漏电流．双保护环电场的模拟结果保证了这些功能。在 此基础上，我们制备了llmm*llm*6m韵面阵CZT探测罂．倒置封装引出像素信号后，在探 测器的侧壁粘贴丁两条保护环，井耐试了两个保护环和阴极输出的信号(圈4)．可以看出 两个保护环的信号撮性有时与阴极信号相同．有时相反．有时一十相同．一十相反，这种情 况的发生与射线在晶体内作用的地点相对于两个保护环的位置关系有关．所以它们可提供射 线发生反应的位置信息．从图4的第+m中可看到阴极信号中叠加的两十信号在保护环信 号中同样有体现． 目‘·目砰R十时HⅢ’ (Jte*日#*{，te自“e^*p■*}) 我们同时测试了两个保护环和明极的”℃s能谱(图5)，可以看出阴极的能谱中“cs的 662key谱峰不明显，这是因为翻极是一个完整的平面电扳，不能像阳极像素那样产生单极 性敏感信号。所以阴极的峰分辨率也指出了晶体内部缺陷的严重程度和缺陷分布的非均匀程