GaAs核辐射探测器.pdfVIP

GaAs核辐射探测器 王柱生‘，肖国青‘，谭继廉。，李占奎‘，高萍0卢子伟‘， 鲍志勤’。张玲‘，李龙才’，张宏斌‘ (1中国科学院近代物理研究所，甘肃兰州，730000； 2中国科学院空间科学与应用研究中心，北京，100080) 探测器的研制工艺，测试结果。 关键词：砷化镓核辐射探测器能量分辩。 0引言 由元素半导体材料锗、硅制备的探测器具有体积小、脉冲上升时间短、线性响应好、使 用方便等优点，在核物理辐射探测中有重要的地位。但这些探测器有两个缺点：一是由于锗 和工作在液氮温度(770l【)；二是由于硅单晶的原子序数低(Z=14)．对y射线的吸收系数小， 故在探测y射线和许多领域内的应用受到了限制。 随着科学技术的发展，GaAs单晶制备工艺不断改进(LEC法、VGF／VB法、HB法)，国内 已拉出了完整性好，陷获中心少的单晶体材料(纯GaAs、中子辐照GaAs、掺铬GaAs、掺硫 GaAs、掺铁磷化铟和掺Si的GaAs单晶片等。它以优异的电子传输速度和光电效应在几年信 息革命中扮演着几十年前电子革命中硅和锗的角色。如手机．宽带上网．无线上网．光纤通信 ‘和卫星通信等新行术语已同我们生活密切相关。GaAs化合物半导体材料具有禁带宽度大 (Gg=1．45ev)，使探测器在室温条件下漏电流小；载流子的寿命长(或漂移长度长)，使电荷 收集效率高从而得到好的能量分辩率；纯度高，使耗尽层厚度大；原子序数Z大(Z=32、 Zc-=31、Zh=33)，对，，射线的探测效率高，具备了制作探测器材料的条件。90年代在我国 开始使用了这种新型的GaAs核辐探测器，它的特点是对中子、y射线及带电粒子都灵敏． 时间响应快．易于制作等，为了满足核物理研究和核探测领域中的需要，我们研制出了GaAs 核辐射探测器。 l探测器的制造工艺 1．1材料有关参数 所用的材料是N型GaAs片，其有关参数为： 7 电阻率： 6．88—7．74X100hm．am 晶向： (100)+-0．50 迁移率： ‘6334_-6656am2／v一．S1 位错密度：81600--46500／cm 颗粒数： O．3um(50个／am) 1．2工艺流程 GaAs核辐射探测器制作工艺与Au__Si面垒探测器制作工艺基本相似，我们制作的方 、’ 法是： ‘ 首先将石腊(加适量的松香)烘考溶化并均匀涂摸在玻璃条上，然后把GaAs单晶片固 定在玻璃条上，用空心钻头在台式钻床上按需切割成形(08mm、①lOmm、①14ram)。在红 外灯下烘考取片，用乙醇初步清洗后用白刚玉水浆研磨抛光(W14、WlO、W7、W5、W3．5)， 要求表面光亮并无画痕即可。把GaAs片装在特制的聚四氟乙烯架上，在超声波的作用下用 丙酮．三氯乙烯(或甲苯)、丙酮、无水乙醇、高纯去离子水进行超洗2--3遍，每次清洗时 224 间约8min左右，在烘箱或红外灯下烘干(无水珠即可)。然后进行化学腐蚀抛光(腐蚀液比 腐蚀进行淬灭，再用大量的热冷高纯去离冲洗数遍，最后用优级甲纯脱水放在红外灯下或烘 考箱内烘干即可。在CL卜5A型洁净室进行封装涂胶，封装涂胶后放置在洁净的烘箱内烘考并 型高真空镀膜机中进行蒸发Au、Al(2×101pa)完成，放置在洁净处24小时后测试。具体 工艺流程如下所示： GaAs片切割成形一研磨抛光一清洗一化学腐蚀一淬灭一热冷高纯去离子水冲洗一甲 醇脱水一封装涂胶一烘考一蒸Au蒸A1势垒的制备一测试。 2性能测试 2．1表面漏电流的测量 GaAs探测器的性能，质量的优劣，主要由伏安特性、能量分辩、噪声等来衡量。而伏安 特性就是探测器的工作电压与探测器反向漏电流之间的关系，而反向漏电流主要有三种来 源： 1)饱和电流：饱和电流(Is)是少数载流所引起的 2)产生电流：产生电流Ig