半导体制造技术-金属化（结果检测）.pptVIP

Company Logo LOGO 半导体制造技术-金属化 金属化质量测量 测试金属化的质量 质量参数 缺陷类型 1.溅射金属的附着 金属层没有附着在衬底上 2.溅射薄膜的应力 过多的剩余应力导致： 薄膜表面断裂 影响膜的附着 在一些材料中增加电阻 3.溅射的膜厚 金属层不满足膜的厚度要求 （如方阻偏离要求值） 4.电镀（电化学淀积或ECD） 金属薄膜的均匀性 薄膜厚度不均匀如下表示： 为高深宽比开口的不合适的间隙填充和台阶覆盖（在高深宽比通孔的底部和顶部膜厚不均匀） 整个硅片和从硅片到硅片淀积的膜厚不均匀 薄膜中有空洞 金属化检查及故障排除 测试金属化的质量 问题 可能的原因 纠正措施 1.金属薄膜台阶覆盖的质量下降 衬底的温度下降，因为在淀积期间，对铝合金的溅射淀积而言，台阶覆盖取决于硅片的温度 加热衬底以改进台阶覆盖，因为淀积金属原子的表面迁移率增加了 增加淀积速率 降低淀积速率。由于更多的原子到达表面降低了表面迁移率，因此溅射速率的增加可能降低台阶覆盖的质量 2.真空腔的完整性 腔体清理或在腔体中除气 检查真空系统的泄露情况，在腔体中的残留气体能改变膜的反射率 检查金属薄膜中的O2或N2，它们能改变膜的电阻率和应力 清理腔体，并烘烤水汽 除气或系统泄露 用氦泄露探测设备检查系统的泄露 用残留气体分析仪在在淀积前评估腔体的状况 3.金属薄膜的污染 出现在薄膜表面的颗粒 脏的输入硅片 控制机械腔体机械之间的传递 运行过程中未完成清理干净腔体 脏片架 氮气被污染 4.双大马士革电镀后，铜的沟道填充中的空洞 硅片表面上过厚的种子层，收缩了通孔和槽，在膜中 产生了空穴中心 通过估计从场区到通孔和沟道的底部电镀电流值，优化CVD铜种子层淀积。目的是在没有增加场区膜厚的情况下，在具有高深宽比通孔的底部淀积适当的种子层厚度 5.双大马士革CMO后剩的铜凹痕 铜凹痕通常是由铜CMP钽扩散阻挡层引起的 在铜被抛光后，钽层必须从水平面清除，铜浆区没有有效的清除钽。选择是： 为钽优化浆 最小化钽区域的水平厚度 * * * 1.硅片玷污 2.应力 3.材料的类型 4.衬底的温度 5.氩压 * 1.薄膜应力可能引起由衬底过高的温度引起。 3.断裂可能引起： 4.在淀积前后测试薄膜的应力（硅片表面的弯曲程度）。应力的单位是达因 2.降低硅片温度的方法有： （1）薄膜层蜕皮 （1）降低淀积速率 （2）沾污迁移 （2）增加背面的冷却 （3）电开路过电短路 * 1.影响膜厚度的参数是： （1）不正确的方法 （4）不合适的腔体压力 （2）不合适的流量速度 （5）不合适的电源供应能量 （3）不合适的衬底温度 （6）错误的时间设置 * 1.电镀薄膜均匀性的关键参数是： （1）淀积一层均匀的没有空洞的CVD种子层 （2）为有机添加剂保持合适电镀浸泡液的化学成分（组分和浓度），添加剂主要是光亮剂和抑制剂，在填充间隙的底部和侧壁时以获得没有空穴的淀积 * * * * * * * * Company Logo LOGO * * 1.硅片玷污 2.应力 3.材料的类型 4.衬底的温度 5.氩压 * 1.薄膜应力可能引起由衬底过高的温度引起。 3.断裂可能引起： 4.在淀积前后测试薄膜的应力（硅片表面的弯曲程度）。应力的单位是达因 2.降低硅片温度的方法有： （1）薄膜层蜕皮 （1）降低淀积速率 （2）沾污迁移 （2）增加背面的冷却 （3）电开路过电短路 * 1.影响膜厚度的参数是： （1）不正确的方法 （4）不合适的腔体压力 （2）不合适的流量速度 （5）不合适的电源供应能量 （3）不合适的衬底温度 （6）错误的时间设置 * 1.电镀薄膜均匀性的关键参数是： （1）淀积一层均匀的没有空洞的CVD种子层 （2）为有机添加剂保持合适电镀浸泡液的化学成分（组分和浓度），添加剂主要是光亮剂和抑制剂，在填充间隙的底部和侧壁时以获得没有空穴的淀积 * * * * * * * *