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介观物理——量子输运和Anderson局域化 Outline Anderson局域化和Mott迁移率边 局域化区的热激发电导 Thouless表象和导线中的局域化及有限温度效应 局域化的标度理论 弱局域化 退相干的基本原理 2.1Anderson局域化和Mott迁移率 Background 弱散射理论——可以成功的描述较纯金属导体的电导率与杂质和温度的关系。 但当杂质浓度非常高时,杂质散射强度增加,将出现弱散射理论不能解释的奇异现象。 Eg:电阻率在低温下与温度有很弱的依赖关系,但进一步降低温度它却随温度的降低而增加。而弱散射理论声子的散射在温度降低时被压制,静态的杂质散射不依赖温度。 弱散射理论总是预言dρ/dT0 杂质浓度很高的介观金属系统,当电阻率大于一定值时,dρ/dT0,即电阻率随温度降低而增加。且该现象普适。 Yoffe-Regel判据 建立在弱散射理论基础上的Drude电导率: 只有λF=2π/KFl=VFτ时,量子涨落很小,公式才有效。即满足 对于三维金属,利用电子密度与费米波矢n=KF3/(3π2),得到电导率满足的条件: 它表示弱散射理论的适用条件 Anderson转变 无序(反应杂质浓度大小的一个参量)是研究导体输运性质的一个重要参量。 由于无序而导致的系统从金属态到绝缘态的转变称为Anderson转变。 研究具有较强无序系统的电子输运性质的理论称为Anderson局域化理论。 它可以很好地解释电阻率在低温时的行为,并预言并不存在真正的一维和二维金属导体。 无序系统的描述 通常用无规势V(r)来描述无序系统 另一个描述无序的方式是取无规变化的周期势,称为Anderson模型,其哈密顿量 Anderson模型是一个紧束近似模型。 电子在格点的能量εi或跃迁能量tij或两者都可以取做无规变量 Anderson模型 在Anderson模型中,取tij=V(常量), εi取独立无规变化量,其分布几率为: 比值W/V用作测量系统的无序强度。 W/V很大时,无序很强,电子被限制在一个小区域内而不能扩展到整个系统,电子处于局域态。 W/V很小时,表示无序很弱,电子可以运动到整个区域,表示电子处在扩展态。 Anderson局域化 在无限大系统中,在t=0时刻的格点i上有一个电子,经过很长时间t(远大于任何微观时间)以后,在i格点上如果找到这个电子的几率为零,就说明这个电子离开了这个格点在系统中传播,电子处于扩展态;如果在这点找到电子几率不为零,而为一个有效值,表明电子处在i格点附近的稳定局域态。 微扰理论研究Anderson模型的哈密顿量 用微扰理论研究上面的哈密顿量。对于足够强的无序,类似于束缚态的形成,出现一个局域态,对应的波函数的包络当远离局域化中心时指数衰减。 第一项为非微扰量,而取tij为微扰,通过微扰展开可以得到电子自能的级数表达式。 Anderson判据 对于足够大的W/V,即当W/V大于某一数值时,W/VW/V|c,电子自能的级数表达式是收敛的,W/V|c的上限满足条件: 即Anderson判据 现在一般认为对于足够强的无序,使W/V满足Anderson判据,系统的所有态都是局域化的。 电子自能 在格点i=0,电子的定域格林函数为: Σ(E)是电子自能。 如果电子自能虚部为0,则Σ(E)为一个常数,则电子的定域格林函数没有衰减,这说明电子处在以i=0为中心的局域态。 如果自能的虚部为一个有限值,则电子的定域格林函数随时间衰减,标明电子离开i=0的格点而传播到整个系统,电子处在扩展态。 Mott迁移率边 Mott认为,对于中等程序或较弱的无序在能带边缘的态由于无序可能成为局域态而在能带中心附近时扩展态。拓展态和局域态通过迁移率边Em1和Em2分开。 Mott迁移率边 拓展态和局域态不可共存,否则任何小的相互作用都可使它们交叠而组成新的扩展态。 当W/V增加时,迁移率边相互接近,并且在某一极限值时融合,这是所有的态变成局域态,从而发生了Anderson转变。 如果在EF附近全是局域态,那么在T=0,系统是绝缘体。 通过改变电子的密度和无序强度,可以分别改变EF、Em1、Em2。只要EF从扩展态进入局域态,系统从金属相进入绝缘相——局域化理论很好解释了无序导体的反常性质。 2.2局域化区的热激发电导 假设:EF附近的态全是局域化;EF处于导带下 部 。 EFEm1 ,T=0,系统的电导率为0; 有效温度时,系统中存在热激发电子,这些热激发电子可能参与下面几种过程对系统电导率有贡献。(1)激活到迁移率边 (2)激活到近邻
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