光电导探测器.pptVIP

* 第四章 光电导探测器 光电导探测器：利用光电导效应制作的光探测器 又称PC(Photoconductive)探测器或光敏电阻 光敏电阻：半导体材料的电阻率（电导率）随入射光比较敏感 光敏电阻与其它半导体器件相比有以下特点： 光谱响应范围很宽，对不同材料，光谱响应范围可从紫外、可见光、 近红外至远红外； 工作电流大，可以达到数毫安； 所测光强范围宽，即可测强光，也可测弱光； 灵敏度高，光电导增益大于1； 偏置电压低，无极性之分，使用方便； 不足之处： 强光照射下，光电转换线性较差； 光电驰豫过程较长； 频率响应很低； §1 光电导探测器的工作原理 1.1 光电导效应 价电子 本征半导体： 未受光照时，绝大多数 电子被束缚在局域价键 上，不能参与导电。 Eg 导带 价带 真空 Ec Ev 电子都束缚在价带中， 导带中无电子，电导率 为零。 hν 受光照： 激发产生电子空穴对， 增加了载流子浓度， 降低了材料的电阻率。 Eg 导带 价带 真空 Ec Ev hν 价带中电子受激发跃迁至 导带形成载流子： 价带中的空穴 导带中的电子 光电导效应：光子作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收， 产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生 变化的现象 1.2 光电导探测器的工作原理 P 1.光电导探测器的光电流 d w L VA RL x 设样品为n型材料 功率为P的光辐射沿x方向均匀入射 光电导材料的吸收系数为α 表面反射率为R 入射光功率在材料内部 沿x方向的变化为： n(x)表示x处的光生载流子浓度： 电流强度：单位时间内通过垂直于电场方向的面积为A的电荷 N—单位体积中的电荷数 —载流子的平均漂移速度 电流密度：单位时间内通过单位面积的电荷 电场作用下x处的漂移电流密度： 载流子的迁移率：单位电场作用下载流子的平均漂移速度 光电导探测器输出的平均光电流： 稳态下电子的产生率与复合率相等： （1）产生率： 在x方向单位长度上材料吸收的光功率： 单位体积内吸收的光功率： 单位时间、单位体积内产生的光生电子： （2）复合率： 单位时间、单位体积内复合电子数： —载流子的平均寿命 稳态条件下： 光生载流子的浓度为： 入射光全部被吸收时（α=1）所产生的平均光生载流子浓度： 入射光功率全部被吸收所产生的光电流： 量子效率：单位时间内激发的光电子数与单位时间入射到探测器表面的 光子数之比。 为载流子在电极间的渡越时间 光电导探测器内增益 光电导探测器是一个具有内增益的器件； 内增益的大小与器件的材料、结构尺寸与外加偏压有关； 对光生载流子平均寿命长、迁移率大的光电导材料，极间距离小的探测 器，内增益可达几百。 1.3 光电导探测器的工作模式 金属电极 半导体材料 电极引线 基本偏置电路 RP VL 1.4 噪声 主要包括三种：热噪声，产生-复合噪声，1/f 噪声 f 1/f 产生-复合噪声 热噪声 总噪声谱 1.5 常用光敏电阻 分为三类： 对紫外光灵敏的光敏电阻；如：CdS, CdSe 对可见光灵敏的光敏电阻；如：TiS, CdS, CdSe 对红外光灵敏的光敏电阻；如：PbS, PbTe（碲化铅), PbSe,InSb,HgCdTe(碲镉汞), PbSnTe(碲锡铅）等 CdS光敏电阻： HgCdTe光电导探测器 采用半导体合金法将CdTe和HgTe混合成合金系统 CdTe: Eg=1.6eV HgTe: Eg=-0.3eV 混合固溶体Hg1-xCdxTe的带隙宽度随其组分x和温度T变化 经验公式 改变x，可以改变混合固溶体的带隙宽度Eg,从而改变其光谱响应范围 常选用的组分x及温度T: x=0.2，光谱响应范围：8~14 μm，工作温度77K(利用液氮冷却的真空 杜瓦瓶）; x=0.28,光谱响应范围：3~5 μm，工作温度300K或195K; x=0.39,光谱响应范围：1~3 μm，室温工作。 时间常数：几个微秒 *