基于负电容补偿技术的CMOS低噪声放大器设计.pdfVIP

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2017-08-20 发布于河南
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基于负电容补偿技术的CMOS低噪声放大器设计.pdf

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第卷第期微电子学，４２３Ｖｏｌ．４２Ｎｏ．３年月２０１２６ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＪｕｎ．２０１２  基于负电容补偿技术的ＣＭＯＳ低噪声放大器设计，，舒应超赵吉祥李云峰（，）中国计量学院信息工程分院杭州３１００１８　：，。摘要利用负电容电路补偿技术设计了一个工作于频段的差分低噪声放大器基２．４ＧＨｚ　　，。，于ＣＨＲＴ０．２５ｍＲＦＣＭＯＳ工艺对电路进行仿真与传统的共源共栅结构相比引入负电容　 μ 　　，、、电路对共源管的栅漏寄生电容进行补偿可以使放大器的匹配度噪声系数线性度等关键性能指。，，，标得到显著改善仿真结果显示该放大器的正向功率增益为噪声系数为为１７．７ｄＢ１ｄＢＩＩＰ３，，。－４．９ｄＢｍ功耗为２５ｍＷ具有良好的输入输出匹配：；；关键词低噪声放大器负电容电路ＣＭＯＳ　中图分类号：文献标识码：文章编号：（）ＴＮ７２２．３Ａ１００４３３６５２０１２０３０３１８０５－－－ＤｅｓｉｎｏｆａＣＭＯＳＬＮＡＢａｓｅｄｏｎＮｅａｔｉｖｅＣａａｃｉｔａｎｃｅＣｏｍｅｎｓａｔｉｏｎ　　　　　　　　　ｇｇｐｐ，，ＳＨＵＹｉｎｃｈａｏＺＨＡＯＪｉｘｉａｎＬＩＹｕｎｆｅｎ　ｇ　ｇ　ｇ（，