【有源偏置】用于SiGeHBTLNA的新型双有源偏置电路的设计.pdfVIP

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2017-08-20 发布于河南
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【有源偏置】用于SiGeHBTLNA的新型双有源偏置电路的设计.pdf

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第卷第期微电子学，４２２Ｖｏｌ．４２Ｎｏ．２年月２０１２４ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＡｒ．２０１２ｐ  用于ＳｉＧｅＨＢＴＬＮＡ的新型双有源偏置电路的设计　　，，，，，张东晖张万荣谢红云丁春宝赵昕刘波宇　（，）北京工业大学电子信息与控制工程学院北京１００１２４：（）。摘要偏置工作点是影响低噪声放大器ＬＮＡ线性度的因素之一为了保证ＬＮＡ能够更好地　，。对信号进行线性放大稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要提出了一种新型有源偏置技术，，。通过同时采用两个电流源为ＬＮＡ提供直流偏置以达到稳定放大器偏置工作点的目的，，。基于工艺采用该新型双有源偏置技术设计了一款在ＪＡＺＺ０．３５ｍＳｉＧｅＬＮＡ１．８２．２ＧＨｚ　 μ 　～，，，频带时放大器的增益为噪声系数小于时的输入阶交调点２２．０３ ± ０．４６ｄＢ３．７ｄＢ２．０ＧＨｚ３（），。ＩＩＰ３为５ｄＢｍ相对于传统无源偏置的ＬＮＡ提高了１０ｄＢｍ仿真验证了该新型有源偏置技术对提高ＬＮＡ线性度的有效性。：；；；；关键词双有源偏置电路低噪声放大器线性度噪声系数输入阶交调点３　中图分类号：文献标识码：文章编号：（）ＴＮ７２２．３Ａ１００４３３６５２０１２０３０２２４０５