基于CHRT0_18_mCMOS工艺的5GHz低噪声放大器.pdfVIP

第29卷第6期 机 电 工 程 Vol. 29 No.6 2012年6月 JournalofMechanicalElectricalEngineering Jun. 2012 基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的 5 GHz低噪声放大器* 南超州，虞小鹏* （浙江大学 超大规模集成电路研究所，浙江 杭州 310027） 摘要：针对5 GHz频段无线局域网通信标准的市场需求，提出了一种基于源端电感退化的低噪声放大器（LNA）。设计采用了新加坡 特许半导体（CHRT）提供的0.18μm 互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺库，并对设计结果进行了流片测试验证。重点分析了基 于源端电感退化的低噪声放大器的关键参数与性能折中，包括输入噪声匹配、密勒效应（millereffect）对噪声性能造成的影响，以及 解决方案等在射频低噪声放大器设计中至关重要的因素。研究结果表明，噪声系数（NF）、线性度以及增益等关键指标皆可满足5 GHz无线通信的需求；其中噪声系数（NF）在超低功耗条件下（P 4 mW），可以达到3dB以下。 com 关键词：无线局域网；互补型金属氧化物半导体；低噪声放大器；密勒效应消除 中图分类号：TN47 ；TM 13 文献标志码：A 文章编号：1001-4551（2012）06-0714-04 5 GHzLNAbasedonCHRT0.18 μmCMOStechnology NANChao-zhou，YUXiao-peng （InstituteofVLSIDesign，ZhejiangUniversity，Hangzhou310027，China） Abstract：AimingatfulfillingthedemandofwirelessLANcommunicationstandard，experimentalstudiesonlownoiseamplifier（LNA） with inductive source degeneration were presented. The design was implemented in CHART 0.18 μm complementary metal-oxide-semiconductor（CMOS）technology. As the key parts of the consideration in a LNA design，the crucial trade-offs of key parametersandperformance，includinginputnoisematching，theimpactontheperformanceofnoiseintroducedbymillereffectandthe solution were carefully taken into consideration. The results indicate that，the key target can satisfy the requirements of wireless communicationin 5 GHzrange，suchasNF，linearityandgain，undertheconditionofultra-lowpower（P 4 mW），theNFislessthan com 3dB. Keywords：wirelessLAN；complementarymetal-oxide-semiconductor（CMOS）；lownoiseamplifier（LNA）；miller