（仿真说明可用）5_2GHz0_18_mCMOS射频低噪声放大器的设计.pdfVIP

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2017-08-20 发布于河南
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（仿真说明可用）5_2GHz0_18_mCMOS射频低噪声放大器的设计.pdf

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中国集成电路设计 CIC China lntegrated Circult 5.2GHz 0.18 μm CMOS 射频低噪声放大器的设计* 周盛华，叶有祥，李海华（中国计量学院光电学院杭州，310018）摘要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺，设计应用于IEEE 802.11 （LNA）。整个电路采用1.8V单电源供电，输入输出匹配良好。用ADS模拟软件对电路进行分析优化，结果表明：在中心频率5.2GHz处，噪声系数为2.51dB，功率增益为17.373。 dB 关键词： CMOS工艺；低噪声放大器；噪声系数；ADS 中图分类号：文献标识码： TN722.7 A Design of 5.2GHz 0.18μm CMOS RF LNA ZHOU Sheng-hua1, YE you-xiang, LI hai-hua （） College of Optical and Electronic Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China; Abstract: A 5.2 GHz LNA for 802.11a wireless communication system was realized by using TSMC 0.18μm CMOS technology. The whole voltage is 1.8 V, the input and output impedance matched well. Simulation and analysis using ADS simulator show that the amplifier has the Noise figure （NF）of 2.51 dB and the gain of 17.373 dB at 5.2 GHz. Keywords: CMOS technology; Low noise amplifier; Noise figure; Advanced Design System 1 引言随着微电子技术的不断发展，MOS 器件特征尺寸的不断减小，硅基CMOS 工艺已经达到0.1μm 以随着无线通信技术的不断发展，系统要求更高下，MOS 器件的高频特性也因此得以改善，截止工 [1] 的集成度，更强的功能以及更低的功耗。低噪声放大作频率已经达到200 GHz 以上，利用CMOS 工艺器（LNA）是无线通信射频接收电路中的第一个有实现GHz 频段的高频模拟电路的技术亦得到广泛 [2- 3] 源电路。主要功能是将来自天线的微伏级的电压信应用。实现复杂无线通信系统单片集成的第一步号进