陶瓷基复合材料-2.pptVIP

第三章 陶瓷基复合材料制造工艺 第三章 陶瓷基复合材料制造工艺 第三章 陶瓷基复合材料制造工艺 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1.1 粉末冶金(冷压烧结) 烧结过程 烧结过程：是指粉末压坯的适当的温度和气氛条件下，加热一段时间内发生的变化现象和过程。 3.1.1 粉末冶金(冷压烧结) 烧结热力学 烧结是一个体系自由能减少的过程。 缩颈增大，颗粒表面平直化而使比表面积减少 烧结体内孔隙总体积与总表面积减少 颗粒内晶格畸变消除 烧结机制 粘性流动 扩散：体积扩散、表面扩散、晶界扩散 塑性流动 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.1 普通工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.2 新型工艺介绍 3.3 工艺总结 第四章 陶瓷基复合材料界面 第四章 陶瓷基复合材料界面 4.1 复合材料内的界面面积 4.1 复合材料内的界面面积 4.1 复合材料内的界面面积 4.1 复合材料内的界面面积 4.2 复合材料内的界面晶体学性质 4.2 复合材料内的界面晶体学性质 4.3 浸润性 4.3 浸润性 4.3 浸润性 4.4 陶瓷基复合材料界面的粘结 4.4 陶瓷基复合材料界面的粘结 4.4 陶瓷基复合材料界面的粘结 4.5 陶瓷基复合材料界面的作用 4.5 陶瓷基复合材料界面的作用 4.5 陶瓷基复合材料界面的作用 4.5 陶瓷基复合材料界面的作用 4.5.1 界面的作用 3.2.2 直接氧化法 锆熔体与B4C直接反应制取 3.2.2 直接氧化法 3.2.2 直接氧化法 此种工艺中控制反应动力学是非常重要的。因为化学反应的速率决定了陶瓷生长的速度，一般陶瓷生长速率为 1 mm/hr。 所生产的部件尺寸可达 20 cm. 3.2.2 直接氧化法 3.2.2 直接氧化法 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 简单地说CVI工艺需要： 进气系统； 一个化学气相沉积反应器，其中能够加热基底与导 入反应 气体； 尾气处理系统。 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 实际上这是一种与制备陶瓷材料相似的化学气相沉积方法。 在1200 - 1400 K的温度下： CH3Cl3Si(g) SiC(s) + 3HCl(g) 有的时候还可以用原料气，如氧化铝基体复合材料的制备，在 950 - 1000 ℃和 2-3 kPa 的压力下: H2(g) + CO2(g) H2O(g) + CO (g) 2AlCl3(g) + H2O (g) Al2O3(s) + 6 HCl(g) 2AlCl3(g) + 3H2(g) + 3CO2(g) Al2O3(s) + 3CO(g) + 6HCl(g) 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) CVI 工艺的优点： 制备的复合材料在高温下仍有好的机械性能； 可以制备大尺寸、复杂形状和近净形的部件； 适用于很多种类的陶瓷基体与增强纤维。 缺点： 速度慢、成本高 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation,