Ge衬底上Er2O3薄膜的局域电学性质和退火行为在位研究.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S4-5 Ge 衬底上Er O 薄膜的局域电学性质及退火行为在位研究 2 3 a* b b b 冀婷 ，张海月 ，王伟 ，杨新菊 a 太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室，太原，030024 b 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海，200433 电子邮件：jiting@tyut.edu.cn 近年来高K 材料在Ge 衬底上的生长及性质研究引起了人们越来越多的兴趣。最近我们 研究了 Er O 薄膜在 Ge 衬底上的生长及性质。本文利用导电原子力显微镜（CAFM）研究了 2 3 Ge 衬底上Er O 薄膜的局域电学性质。利用原子力显微镜的原位定位技术，我们还实现了退 2 3 火对薄膜电学性质影响的原位研究。 图 1 （a）、（b）分别为 Er O 薄膜退火前的表面