C轴择优取向AlN薄膜地制备研究.pdfVIP

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct-2005 ofSichuan ScienceEdition) Vol42Issue2 第42卷增刊2 Journal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)022-0415—03 C轴择优取向A1N薄膜的制备研究 李位勇，张凯，徐丹丹，陈丽丽，顾豪爽+ (湖北大学物理学与电子技术学院，武汉430062) 摘要：采用直流磁控反应溅射法制备AIN薄膜．研究了靶基距、衬底温度和电极材料时AIN薄 膜择优取向的影响，用XRD、AFM表征了A1N薄膜的结构、表面形貌．结果表明衬底温度为 300℃、靶基距为3em，在Pt电极上可沉积高质量的c轴择优取向AIN薄膜． 关键词：A1N薄膜；直流磁控反应溅射；C轴择优取向 中图分类号：TIN3 文献标识码：A 1 引言 随着无线通信技术迅速发展，主流通信频段已日益拥挤，人们越来越关注更高频率的通信运用技 术”。]，前置滤波器是GHz通信系统提高信噪比、减小功耗的关键环节，其中薄膜腔声谐振(FBAR)滤波 小，化学性质稳定等优点成为制作FBAR的最理想材料高性能的滤波器要求A1N薄膜具有c轴择优取 向，最好采用C轴垂直于衬底的外延单晶AIN薄膜在蓝宝石单晶衬底上，采用化学气相沉积和分子束外 为了与其它半导体工艺兼容，制备AlN薄膜的村底温度不能高于500℃，因而不能采用以上两种制备方 法以纯Al为靶材．我们探讨了靶基距、村底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响 2 实验 备A1N薄膜．本底真空为4×10 单晶硅，在其表面用直流磁控溅射法分别溅射金属舢和Ti／Pt电极，T1作为缓冲层，增加Pt的附着力． 表1 AIN茸麒的镧鲁条件 1 of thin TabtePrelmrationconditionAIN film 表面形貌，Tencor p-10型台阶仪测试膜厚，4192A型低频阻抗分析仪铡试薄膜的电容和损耗． 3结果与讨论 收稿日期：2005—08-28 作者简介：李位勇(1979一)，男，2003级研究生 *通讯作者E-mail：gu强国hubu．幽cn 416 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 靶基距为3cm时，只有A1N(002)衍射峰，此时制得的是c轴择优取向AIN薄膜 2 通过靶基距(D)与平均自由程(P)的关系来解释．工作气压为0．2Pa时，粒子的平均自由程P 孺i未了=—i而crn=33cm…．当PD时，粒-7：在空间与其它粒子发生碰撞的概率很小，可直接沉积在 和N粒子经过多次碰撞后，能量被衰减，有利于薄膜沿(100)面取向生长”1 圈2给出了靶基距为3era，Pt电极上A1N薄膜的晶面择优取向状况与衬底温度的关系图不加热的 样品由于粒子的轰击，由室温逐渐升高到120(2，并稳定在此值．由图可知，不加热的样品为非晶态；180(2 300℃样品的A1N(002)衍射峰的强度更大，半高宽较小． 图1不同靶基距下AIN薄膜XRD图谱 困2不同衬底温度下AIN薄膜XRD图谱 l XRD 0fAINthinfilms at XRD ofA1Nthin[ilms at Fig patterns deposited Fig．2 patterns deposited different distance differentsubstrate tarRet-substrate te