高性能Si基Ge探测器的研制.pdfVIP

第十i届仝田化古物半导俸．饿波器件和光电嚣件掌术套议 高-|生能Si基Ge探测器的研制+ 薛海韵+，薛春来，成步文，王启明 (中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点联合实验室。北京100083) 摘要；采用超低温Buffer层技术在si衬底上生＆出了质量优良的Ge材料，利用该材料研制高速Ge光电探测器，吸收层 Ge的厚度约为0,Spin．在0v和．1v偏压F，暗电流密度分别为0．37mA／cm2和294mA／cm2：测试结果表明探测器具有良好的光响 应，在1．3lpm波长下，0v和，lv偏压下响应度分别为0,37mA／W和0．38mAIW，1．55pm的光响应为021A]W。探测器的高频特 72GHz，5 28GHz。 性测试表明，台曲直径30pro的探测器，0v，．1v和．3VF3dB带宽分别为4 38GHz和6 关键词： 硅基，Ge．外延．探测器 中图分类号：至H8§Z：21 Fabri cati onoftheGermani um—on—Si I i condetectorsfor caI opt communications Xue Chunlai，Chen Haiyun+，Xue Buwen，WangQi-ming On 100083 (StateKeyLaboratoryIntegratedoptoeleetronics,InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beiying Chin口J Gewas onSi vacuum／chemical Wedemonstrateefficient Abstract．．Highquality epitaxiaUygrownusingultrahigh vapor deposition withO aS as0．38andO21A／Wat1．31and1．55 germanium—on—siliconp-i-nphotodetectors8rnnGe。withresponsivitieshigh tun， dark 0．37mA／cmzand29．4mA／cm2at0VandievelSebiasofIVThedetectorwithadiameterof30u respectively．Thecurrentdensityis bandwidthof472GHzatanincident of1550唧andZeroexternalbiashasbeenmeagured．AtreVerSebiasof3 m，3-dB wavelength V． thebandwidthiS6．28GHz． Keywords．．Si-based，Ge，Epitaxy，photodetector 获得高的响应速度和合适的光响应度，特别 1引言 在研制1．55pm的Si摹光探测器时，SiGe材 Si摹光电子学将光子学器件与成熟的微料更是难以胜任。Ge材料的带隙适合制作 电子集成电路集成，在价格、可靠性、集成 1．3pm和1．55pm的光电探测器，所以研制 化、智能化等方面具有明显的优势。Si基高Si衬底上的Ge光电探测器成为近年研究的 速光电探测器是Si基光子学和光电子集成研热点f3_5]。 究的