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硅光电倍增管的新发展 李亮，龚光华 (消’#大学』PI‘物w东t“10{V484) #{：f导体探测器打若假好的位置分辨率，这一特阽是f【¨’L体探测器和闪烁探测无法比拟的 随若科学技术和加工工岂的不断发展，科学家州利HJ备种、r导体耐f制m各种新型的半导体探测器，如 砧微条、Pixel、CCD、砖漂移室等．这雌探删器存∞谴物胛．天体物师，核医学，x光成像以丑下 砸等并领域自H得到了广泛的应用。近几年高能物理fFJl，i☆新发现(t夸兜，标准模型等)荔；与这些高精 度的优良特性的探测器密不可分，所以，l目“上很多人型实验宝部1分重视半导体探测器的丌发与 Jt川。 关键月：siJ，M∞*#式．MPPC，像女 引言 采，性儿“打很高的分辨牢。以Hamamatsu 众所周知，上作住盖革模式的半导体探 的MPPc【Multi—PixelPhoIonCouzlter) 测器具有很高的灵敏度．这特性很早就被 广泛应用在各种高性能的计数器中。198narea内n1600个像素．≈个像素只f『25× 年，俄刚科学家YU 25um。 Yusipov教授改进上艺， 利用半导体硅在盖苹模式下的雪崩技应制 这咀所说的像素，实际上就是SiPM探 』垃rSiPM探测器，使得该探测器对极弱光测器的揖小探删单元——硅光二极管…。大 有着很好的探测效率。硅光电倍增管(Silicon家对光电二极管并不陌生，在光电探测器和 光通信等领域都会涉及这种探测器。摘单来 photomultiplier，简称SIPM)已经被证明是 非常好的探测低能光子的设备．苴主要优点 说．这类搽测器的功能就是将光能转换为电 (以Hamamabu生产的S10362-11．050C为能。InJSiPM探捌器实质是硅光半导体二极 管的阵列。。F图2足SiPM撵测器任一像素 例)是：高增益，Oain-750,000：极好的时 间分辨率．FWHM=200～300ps：对磁场不敏的结构示意图．事实上就是在同块基板上 感：工作电压较低，Vo=70±10V，测量精制成多个这样的硅光二极管，并在同一个负 度为1个光于等。除此之外，选择使用SiPM载下工作。 、n导体探测器还要注意它的些其他性能 参数，比如光串扰(crosstalk)．暗电流(dark current)．光子探测效率(PDE)H‘等。 1 SlPM半导体探测器原理 SIPM探测器的示意结构如下图I所示 … 图2SiPM探测器每个像素的结构示意图 SiPM探测器的工作原理：探测器的工 琴一一 作偏址一般比击穿电压高100／P15％，这样 每个像桑二极管都工作在盏革模式，被触发 【h， p 像隶的雪崩电流山位于同一基层的多品硅 图1SiPM探测器结构示意图 也阻限制，l时增益则山税累在像素电容上的 电量扶定。又因为所有二极管都是并列的关 如图1，选种探测器直观的特点就是体视担 系，所以SiPM输出的电量与入射的光予通 小，删时在片探测区域内可以集成很多的像 量存在一定的比例关系，从而达到测量的目 的。影响SiPM输出的凶素很多，这些会在