硅基Ge量子点红外探测器的研究.pdfVIP

2003年10月 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会 北京 硅基Ge量子点红外探测器的研究 魏榕山王吉林熊晨荣张磊邓宁陈培毅 (清华大学微电子学研究所，北京，100084) 摘要：量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能，从而在微电子和光 电子器件方面有着重要的应用价值。硅基Ge量子点红外探测器更是由于具有对正入射光敏感、响 应度高、且易与硅集成电路相容的特点，而成为当今纳米器件研究的一个热点。本文介绍了一种 硅基Ge量子点红外探测器的结构、原理、制各及探测性能的简单测试。 关健词：量子点；红外探测器：光电探测器；光电流 1引言 随着集成电路尺寸的不断缩小，纳米器件成为当今研究的热点之一。纳米器件中的基于子 能级之间跃迁的低维量子结构器件，更是由于具有一些新颖的光电性能，得到世界各地科研 工作者的青睐。譬如，在光通讯方面，对波长处于石英光纤最小吸收窗口附近的低维量子结构 的光电探测器件的研究，就成为一个非常热门的课题。目前见诸报道的已经有响应度高达几 个A／W的光电探测器“。。但是绝大部分的研究成果都集中在InAs／InGaAs等直接能隙半导体量 子阱、量子点光电探测器上，而对于Ge／Si这样间接能隙半导体量子阱、量子点的光学特性 的研究较少“1。而成熟的硅基大规模集成电路技术要求制作光电探测器的材料能与之相容，在 这一点上，硅基Ge／Si低维材料无疑有着无可替代的优势。量子阱中，电偶极跃迁对正入射光 的吸收十分微弱。1，从而限制了量子阱材料在实际的红外光探测器中的应用。量子点因其强烈 的三维量子限制效应使得它对于正入射光的吸收效率远大于量子阱，可以得到较高的探测响 应度，从而引起人们的兴趣。本文主要是介绍了作者所制备的Ge／Si量子点红外探测器，包 括其结构、原理、流水过程、及探测性能的初步测试等。 2003年10月 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会 北京 2探测器的材料结构的生长 材料结构的生长采用清华大学微电子所自行 si coniact100姗10塘锄f3掺P top 研制的超高真空化学气相淀积系统 Sis∞cer40nm (uHv／cvD)GSE一400制备，温度控制在550。C，生 Ge量子点15nm ×10 长以SiH4 GeH4，BH3，PH5等为气源进行生 Q·cm) 长。如图1所示，在P型(100)Si(p～O．1 si bonomcomacI 200呦1018锄。掺B 衬底上先生长200nm的P型重掺杂si(1018c／n一3) 10-cm) P型《100)si!}寸底(p—o 作为下电极接触层，接着生长十层周期性重复的 的Ge量子点及覆盖在其上面的40nm的本征si的 图1探涓器的材料结构 这样的P-i—N结构，既可以利用量子点做吸收层，对正入射光敏感，又可以利用pn结暗电流小的 优点，从而提高探测效率。 在量子点生长过程中，用陪片生长了另外 一种没有上电极接触层以及最上面的spacer 层的材料结构(其它的结构完全一样)，以裸露 出量子点，观察生成的量子点形貌。图2即为 用AFM观测生成的陪片上的量子点的图片。经 观测得知，Ge量子点的分布为双模尺寸分布。 较大的尺寸对应圆形量子点，较小的尺寸对应