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脉冲激光诱导碲镉汞光伏探测器负光伏响应现象研究 崔吴杨 上海电力学院．上海200090和中科院上海技术钳理研究所．±海200嘴3 李志锋马法君胡晓宁叶振华陆卫 中科院上褥拄术物理研究所，红外物理国幕重点宴驻塞，±海200083 摘要：利用虞秒脉冲激光辐照玮铺汞线列探测器E的光敏元．发现茸光伏响应表理为先形成十负尢伏#，之后演 变为正光优峰。改变人射教光的光子能置发现器件的光侠响应表现出娄姒的规律。结台探测器线列的电投分布拘形． 将负光捷响应指认为p电擞的自特摹接触所致。 关键词 辟镉汞．脉冲激发，瞬卷光扶响应， 自特基接艇 1引言： 本文探讨了HgCore光扶撵测器对超快脉冲激光的瞬态响应，发现在正向光伏信号出现之前首 先出现一负的光债响应。利用户金属电投界面肖特基接触目L制对此理象进行丫较好的解释。 2实验： 所测量的HgCdIe光伏红外探测器单元器件结构如图1所示。测试器件放置在滩氮杜既中。激 光蚌冲持续时间为30口s，重复额率为10Hz。通过测量电路中的负载电阻两端电压变化实现瞬态光 响立信号的探测，信号轮入Agilent散字存储示渡器记录。 圈l碲镉汞光戗探铡器单元结构脉冲测试示意圈(图形未按真吏比例J 3结果与讨论： 敏元的瞬志光伏信号。可以看到，脉冲信号首先形成—个明显的负光生电压的响应谷，之后才演变 为正的光侠响应峰。随着激光功率的增加，正、负光伏电压的峰值同时相应地增大。对线列中其它 光敏元进行测量．同样发现丁类似的负光伏响应现象。 257 图2 HgCdTe线列器件某光敏元对能量高于禁带宽度的脉冲激光的响应信号及其随入射激光功率密度的变化 一一．a一=o，o_o工k 图3人射光予能量小于禁带宽度时，HgCdTe光伏器件的光伏信号随入射激光光强的变化关系。 如此显著的负光伏现象可能是P电极的肖特基机制导致。对于碲镉汞器件，普遍认为电极与 测器中P电极与肛电极共面(参见图I)，并且由于叫gcdre功函数较大‘”，在简单近似下如果形 成肖特基接触则构成类n+．p结，其方向与pn结相反，产生的光伏电压方向也与朋结相反。此外， 由于肖特基结不存在少数载流子的电荷存储效应，因此具有更快的光响应速度，形成率先出现的负 光伏响应f21。 4结论： 本文报道了HgCdTe：光伏探测器对脉冲光激发的瞬态响应中出现的负光伏现象，将其归结为p 电极的肖特基接触所致。利用本文的脉冲响应方法能够在时序上和极性上将肖特基结与,an结的作 用分开，因此在P电极欧姆接触特性的判定上，其灵敏度应远高于常规的电学测量方法。 参考文献 [11胡晓宁．赵军，龚海梅．a孽Au／Sn p-HgCdTe的欧姆接触红外毫米波学报1998，17圆：397-400． 【2】刘恩科，朱秉升，罗晋生．半导体物理学．第四版．国防工业出版社，1994：190． ．工58