CdTe核辐射探测器的初步结果.pdfVIP

全国核仪器应用核探测技术核测量方法学术会议论文集 oftheChinaConferenceoilNuclearInstrument Detection Proceedings Ap曲cation＆Nuclear MeasurementMethod Technology＆Nuclear CdTe核辐射探测器的初步结果 王柱生，谭继廉，肖国青，李占奎，李沛林， 张玲，鲍志勤，卢子伟，张宏斌 (中国科学院近代物理研究所．兰州，730000) 摘要：介绍了厚度为600pua，有效面积为30一113mo碲化镉单晶材料铷备的c』rre棱辐射探测器试制工艺，测 试结果。 关键词：碲化镉；核辐射；探铡器；能量分辨 由元素半导体材料锗、硅制备的探测器具 要。对CdTe核辐射探测器级的CdTe材料进行 有体积小、脉冲上升时间短、线性响应好、使用 了有机和无机化学试剂试验，所以，测出的 方便等优点，在核物理辐射探测中有重要的地 CdTe探测器结果还很初步。我们使用的CdTe 位。但这些探测器有两个缺点：一是由于锗单 单晶是我国70年代拉制的材料，电阻率、晶向 、迁移率、位错密度等数据不祥。其次主要是为 晶的禁带宽度较小(E。=0．67“，300K)，而ce (“)探测器需要u补偿，因此必须保存和工作 了研制CdZnTe核辐探测器刨造良好的条件及 在液氮温度(77K)；二是由于硅单晶的原子序数工艺的确定(CdZnTe核辐探测器已测出了Thc’ 一c、“Am带电粒子及“c8等低能7射线能谱 低(z=14)．对T射线的吸收系数小．故在探测 7射线和许多领域内的应用受到了限制。 图)。 CdTe核辐射探测器是一种较新的核辐射 探测器，由于CoTe化合物半导体材料具有禁带 1探测器的制造工艺 宽度大(F．=1．40eV)，其次有较高的原子序数CdTe核辐射探测器的制作工艺与Au—si 面垒探测器制作工艺基本相似，我们制作的方 (z=50．CA为52，Te为48)使探测器在室温和 较大的温度下范围内正常工作；其次cdTe材料法是： 具有载流子的寿命长(或漂移长度长)。使电荷 首先将石腊(加适量的松香)烘考溶化并均 收集效率高从而得到好的能量分辨率；纯度高， 匀涂摸在玻璃条上，然后把CdTe单晶片固定在 使耗尽层厚度大；原子序数z大，对7射线的探 玻璃条上，用空心钻头在台式钻床上按需切割 测效率高等优点，具备了制作探测器材料的条 成形(妒10mm、cpl4mm)。在红外灯下烘考取片， 件。 用乙醇初步清洗后用白刚玉水浆研磨抛光 (W14、W10、W7、W5、W3．5)，要求表面光亮并无 CdTe单晶材料的拉制和CdTe探测器的研 画痕即可。把CdTe片装在特制的聚四氟乙烯 制是在印年代发展起来的，Hugth和ZalliV等人 并对核辐射探测器级的CdTe单晶材料进行了架上。在超声波的作用下用丙酮．三氯乙烯(或 研究。随着科学技术的发展，CdTo单晶材料的 甲苯)、丙酮、无水乙醇、高纯去离子水进行超洗 生长技术和核辐射探测器制备工艺的改进。 2。3遍。每次清洗时间约8min左右，在烘箱或 CdTe核辐探测器性能有了很大的提高，对几百红外灯下烘干(无水珠即可)。然后进行化学腐 keV或更高能量的7射线能够得到较高的能量蚀抛光(甲醇、溴)，腐蚀速率约50pm／min。认为 分辨能谱。90年代在我国开始使用了这种新 达到了厚度的要求立即停止腐蚀