一种基于1.5μm+BJT工艺的硅基光电探测器设计.pdfVIP

I四)11省电子学会半导体与集成技术专委会2007年度学术年会论文集 200／年11月 一种基于1．5帅BJT工艺的硅基光电探测器设计 李珂 刘娟 (电子科技大学，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都，610054) 摘要 本文在原有双极工艺的基础上设计了一种可集成的硅基光电探测器。对所提出的探测器进行理论分析， 建立了可与双极工艺兼容的工艺制程。借助仿真器，分析表明：未添加增透膜，器件光敏面面积为800×1000pm2， 在波长850nm的光照情况下，光电探测器的响应度为0．36A／W，-3dB带宽为50MHz。 关键词 OEIC双极工艺响应度 ．3dB带宽 ofaSilicon PhotodiodeSensorCombinedwith IC Design Integrated Bipolar