AlN-TiB_2复相导电陶瓷的制备及性能研究.pdfVIP

A1N—TiB2复相导电陶瓷的制备及性能研究 Preparation and propertiesstudy ofAIN-TiB2compositeconductive ceram ic 王红霞，赵 辉 WANG Hong—xia．ZHAO HUi (郑州职业技术学院，郑州450121) 摘 要：以微米AIN、微米TiB以及纳米SiC为主要原料，以微米YO。和微米AIO。为添加剂，采用真空 N气氛保护热压烧结工艺制备了AIN—TiB复相导电陶瓷材料。测试和分析了烧结样品的相对 密度、弯曲强度、硬度值以及导电性能。结果表明，当微米AIN添加量为55Wt％，微米TiB 为20wt％，纳米SiC为20wt％，微米Y2O。为3wt％以及微米AI2O。为2wt％时，且烧结温度为 1880oc时，所制备的AIN-TtB复相导电陶瓷材料性能最佳 ，其相对密度为94．45％，弯曲强度 为512．35MPa，洛氏硬度为104．25，电阻率值为1526pD,c·m。 关键词：微米AIN；热压烧结 ；力学性能；导电性能；固溶强化 中图分类号：TP211 文献标识码：A 文章编号：1009-0134(2015)02(上)-Ol37-04 Doi：10．3969／J．issn．’009-0134．3015．02(I-)．38 0 引言 1 实验 随着电子工业在世界范围的发展，电子印刷电路 实验采用的原料包括1-31am左右的AIN粉，1m左 板已成为一种不可或缺的电子部件。自20世纪90年代 右的TiB2粉，纳米SiC粉，ll脚左右的Y203粉以及2肿 以来，世界各国已逐渐将印刷电路板改称为电子基板 左右的Al，0粉，各粉料的纯度均为化学纯。根据相图 (electronicsubstrate)，标志着传统的印刷电路板已 进行了配方设计，所设计的配方组成如表1所示，其 进入了多层基板时代 。电路基板，按电路基板所采 中微米TiB，粉添加量和纳米SiC粉添加量按照1：1的比 用的材料，可分为无机基板材料、有机基板材料 以及 例进行添加波动。采用真空N气氛保护热压烧结工艺 复合基板材料三大类 。传统无机基板如氧化铝陶瓷 制备了A1N．TiB，复相导电陶瓷。在实验过程中，先按 基板、碳化硅陶瓷基板 以及氧化铍陶瓷基板等 ，这 照表1中的配方组成进行配料，再利用球磨方法对各 些无机陶瓷材料在导电性能方面具有独特的优势， 配方混匀，球磨过程中采用的球磨介质为无水乙醇， 因而被世界各国将其用于MCM电路基板行业 ’。 待混合均匀后，再将混匀的料浆置于120。C烘箱中烘 目前 ，国内外开发的集成电路基板用材料主要采用 干，最后，将干燥后粉料先进行预压坯体，再放于真 的是低温烧结基板材料 ，其使用性能以及使用范围 空热压炉中通N进行气氛保护烧结，烧结温度区问为 在一定程度上得到 了限制 。氮化铝陶瓷在热热性 18000C～1900。C，间隔200C设定烧结温度点，热压压 能、电学性能以及机械性能等方面相 比其它无机陶 力为40MPa，烧结温度点保温时间为120min。实验完 瓷材料具有更优异的性能，目前广泛应用于电子、 成后，测试烧结样品的相对密度。烧结后样品采用机 机械以及冶金等行业。TiB：属于六方晶系结构，并且 械切割法制成3mm×4mm×36mm的样品，采用电子 是准金属化合物，具有较低的电阻率 ，因而具有 良 万能试验机，按照精细陶瓷抗弯强度测试方法测试样 好的导电性 ’ⅢJ。利用热