Al—50Si合金电子封装材料的热压法制备及性能表征.pdfVIP

第 22卷第 5期 粉 末 冶 金 工 业 VoI．22No．5 2012年 1O月 P0W DER M ETALLURGY INDUSTRY A1—50Si合金 电子封装材料的热压法 制备及性能表征 杨 奔 ，蒋 阳，丁夏楠 ，仲洪海 ，李翔鹏 (合lIE212业大学 材料科学与工程学院，安徽 合肥 230009) 摘 要 ：本文采用热压法制备 了一种性能优 良的 A1—50Si合金 电子封装材料 。通过 比较不 同 烧结工艺下烧 结体 的密度 ，获得 了制 备该 合金 的最佳 烧 结 工 艺 ：低 温 (460℃)压 制压 力 100MPa、烧结温度 800℃、烧结时间 2h，热等静压工艺参数 ：温度 540℃、压力 200MPa，保温 保压 4h。对在最佳烧 结工艺条件下，经过热等静压处理后 的材料进行 了性 能表征 ，具体性 能：相对密度达到 99 ，抗弯强度 223MPa，硬度 153HB，热膨胀 系数在 0～200oC达到 9．3× 1O ／K，热导率达到 142w ／(m ·K)。 关键词 ：A1一Si合金 ；热压 ；电子封装 ；热导率；热膨胀 系数 中图分类号 ：TG146．2 文献标识码 ：A 文章编号：1006—6543(2012)05—0024—05 HOT—PRESSING SYNTHESIS AND CHARACTERIZATIoN 0F Al一50 Si ALLOY ELECTRONIC PACKAGING MATERIALS YANG Ben，JIANG Yang ，DING Xia-nan。ZHONG Hong-hai，L1Xian~peng (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：High～qualityA1—50Sialloyelectronicpackagingmaterialswerepreparedbyahot— pressingroute．Bycomparison ofthe sintereddensity，theoptimalsinteringprocessisob— tained：pressureof100MPa，thesinteringtemperatureof800℃ ，andthesinteringtimeof2 hoursand HIP processiStemperature of540℃ 。pressureof180 MPaand the timeof4 hours．Meanwhile，thepropertiesofthematerialprepared under the optimalsintering processarerelativedensityof99 ，bendingstrengthof223MPa，hardnessof153HB，and thermalexpansioncoefficientof9．3×10一 K一 in0 ～ 200℃ ，thetherma1conductivityof 142W ／(m ·K)．ItindicatesthatA1—50Sialloyisagoodcandidateforelectronicpackaging materials． Keywords：A1一Sialloy；hotpressing；electronicpackaging；thermalconductivity；thermalex— pansioncoefficient． 21世纪科学技术的发展，尤其突出的表现就是 量更轻 、运算速度更快的方向发展 ，对电子