模拟电子技术基础 教学课件 作者 武小红 1 半导体器件基础.ppt

1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 3 本征激发 4 本征半导体中载流子浓度 1.1.3 PN结 2. PN结的单向导电性 3. PN结的伏安特性 如图1-9所示，温度T1高于温度T2，温度升高时，PN结的伏安特性曲线第1象限曲线左移，第3象限曲线下移。 4. PN结的电容效应 1.2.2 二极管的伏安特性 2. 反向特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的模型 1.2.5 二极管应用举例 2. 钳位电路 3. 元件保护电路 1.2.6 稳压二极管 2. 主要参数 3. 稳压电路 1.3 双极型晶体管 1.3.1 晶体管的结构和类型 1.3.2 晶体管的放大作用 2. 晶体管电流分配关系 1.3.3 晶体管的特性曲线 2. 输出特性曲线 3. 温度对晶体管特性曲线的影响 3. 温度对晶体管特性曲线的影响 1.3.4 晶体管的主要参数 2. 交流参数 3. 极限参数 1 限幅电路 图1-16a)为某种二极管限幅电路，VD为理想二极管，直流电源电压E 0，ui = Umsinωt，且Um＞E。在ui的正半周，当0 ui＜E时，VD因反向偏置而截止，电路中电流为零，所以uo = ui。在t1～t2这段时间内，ui＞E，VD因正向偏置而导通，其正向压降为零，所以uo=E，即输入电压的幅度被限为E值。在ui的负半周，当ui 0，VD因反向偏置而截止，则uo = ui。综合以上分析，uo的波形如图1-16b)所示。 图1-16 二极管限幅电路 a） b） 如图1-17所示，VD1和VD2是理想二极管，+VCC= +5V。若输入电压ui1和ui2中有一个为0，则就有二极管正向导通，输出电压为0。 图1-17 二极管钳位电路 在开关S由接通到断开的瞬间，电流突然中断，电感L中将产生高电压的自感电动势eL，eL通过二极管VD形成放电回路，给储存有能量的电感提供释放能量的回路，从而保护周围的元件。 图1-18元件保护电路 稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型二极管，简称稳压管。稳压管利用二极管反向击穿特性来实现稳定电压的。稳压管的图形符号如图1-19（a）所示。 1. 伏安特性 稳压二极管的伏安特性如图1-19b）所示。稳压二极管的正向特性与普通二极管相同，但反向击穿特性比普通二极管更陡一些，当反向电流在很大范围内变化时，反向电压变化不大。稳压管正是利用这一点来稳压的。 a） b） 图1-19 稳压管的图形符号和伏安特性 最大稳定电流IZmax 稳定电流IZ (此值一般是指最小稳定电流IZmin ) 稳定电压UZ 最大允许耗散功率PZM (PZM = UZIZmax ) 动态电阻rZ 温度系数α 在稳压管正向偏置时，和普通二极管正向偏置的情况是一样的。在稳压管反向偏置时，若外加反向电压小于稳定电压UZ时，则稳压管截止；若外加反向电压大于或等于UZ时，且流过稳压管的电流IZ满足：IZmax ＞IZ ＞IZmin，则稳压管反向击穿，工作在稳压状态。若不考虑稳压管的动态电阻rZ，稳压管两端电压为稳定电压UZ。 【例1-1】稳压管组成的稳压电路如图1-20所示，已知稳压管的稳定电压UZ = 5V，直流电压UI = 10V，最小稳定电流IZmin = 10mA，最大允许耗散功率PZM =150mW，负载电阻RL =500Ω。求限流电阻R的取值范围。 图1-20 稳压管稳压电路 稳压管最大稳定电流为 负载电阻RL上的电流为 限流电阻R上的电流为 稳压管工作在稳压状态，则IZmax ＞IZ＞ IZmin，即30mA ＞IZ＞10mA，可得：40mA ＞IR＞20mA。 限流电阻R两端的电压为 限流电阻R为 所以，限流电阻R的取值范围为： 250Ω＞R＞125Ω。 半导体三极管又称晶体三极管，简称晶体管。因晶体管中有空穴和自由电子两种极性的载流子参与导电，所以也称为双极型晶体管，常用缩写BJT表示。 常见的晶体管外形如图1-21所示，1-21（a）为低频大功率晶体管；1-21（b）为硅铜塑封晶体管；1-21（c）为塑封管；1-21（d）为小功率晶体管；1-21（e）为贴片晶体管。 图1-21常见的晶体管外形 通过一定的制作工艺，在同一个硅（或锗）片上制造出三层杂质半导体区域，两层N型夹一层P型，或两层P型夹一层N型，前者称为NPN型晶体管，后者称为PNP型晶体管。三层杂质半导体区域三个区分别称为发射区、基区和集电区，它们引出的电极分别叫发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。