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杨 宇 等：离子束沉积技术室温生长Si/Ge 薄膜的晶化研究 881 离子束沉积技术室温生长Si/Ge 薄膜的晶化研究 ∗ 杨 宇，陈 刚，邓书康，高立刚，刘焕林，吴国元， 俞 帆，陈长青，陈 亮，郝瑞亭 （云南大学材料科学与工程系，云南 昆明 650091 ） 摘 要：研究 Si 的室温晶化生长对微电子应用技术 还将限制掺杂衬底上外延层电阻率的提高，高温会导 是十分重要的。本文采用离子束外延技术制备了一系 致集成工艺片的图形漂移或严重畸变。因此，如何在 列的Si/Ge 多层膜结构，对样品进行X 射线和拉曼散 低温下特别是室温下进行 Si 晶体的外延生长成了人 射实验表征。研究表明：Ge 可诱导膜中Si 薄层的室 们关注的焦点。 温晶化，当Ge 厚度略小于Si 薄层厚时，获得最佳的 本文采用离子束溅射生长技术，制备一系列的 Si 室温晶化效果。 Ge/Si 多层结构，用X 射线、Raman 散射等进行材料 关键词：Si/Ge 多层膜；离子束外延；XRD ；Raman 表征。探索到通过Ge 诱导Si 晶体的室温生长方法， 散射 寻找到一条室温生长Si 晶态薄膜的路子。 中图分类号：TN304.055 文献标识码：A 2 实 验 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 1 引 言 实验分别选用玻璃片和电阻率 10Ω·cm 的 Si （100 ）单晶片作衬底，先后经过丙酮、酒精超声清 Si 不仅储量丰富、成本低廉，还具有大面积均匀 洗 10min，然后吹干放入FJL560Ⅲ型超高真空多靶磁 性好、结晶质量高等优点。目前制备的 Si 单晶材料 控与离子束联合溅射设备离子束生长室内，待离子束 的直径可达450mm[1] ，是生产规模最大、晶体质量最 室的真空度优于4×10-4Pa ，生长室互为900 对称地分 好、尺寸最大的单晶材料。以 Si 为基础的超大规模 别装有高纯的 Si 靶、Ge 靶。工作氩气的压强为 集成电路技术，是当代信息技术、材料科学、无线电 2.8×10-2Pa ，溅射时灯丝电流 6~7.5A ，束流电压 子学高度发展的结晶，Si 已成为微电子技术的基石。 1000~1200V ，束流~30mA 。在室温同样的条件下生 同时，Si 在传感器、太阳能电池等方面具有广泛的应 长4 个20 周期的Si/Ge 多层薄膜样品，固定Si 层生 用。因此对Si 材料的研究有极其重要的意义。 长时间为240s ，Ge 层的生长时间分别为30、60、90、 早期对 Si 材料的研究主要集中在体晶生长、提 120s，对应样品分别记为 1#、2# 、3#和 4# ，即样品 纯、掺杂及器件工艺控制等方面。由于微电子技术的 的生长结构分别为20×{Si(240s)/Ge(x s)} ，其中x=30 、 发展需求，上世纪60 年代就开展了Si 薄膜外延技术 60、90、120。 的研究。从60 年代初Si 烷热分解反应的气相外延生 样品的 X 射线小角衍射测量是在日本理学公司 长到90 年代初超高真空电子束蒸发的分子束外延， D/max2200 型X 射线衍仪上进行的。X 射线源为Cu 研究主要集中在掺杂工程和能带