气相生长硒化镉单晶体地生长速度研究.pdfVIP

气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究木 何知宇，赵北君，朱世富，任锐，温 才，叶林森，钟雨航，王立苗，杨慧光 (四川大学材料科学系，四川成都610064) 摘要： 以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生 定。 长CdSe晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生 长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的 延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变 化．由此，在选定温场的前提下，对cdse单晶体的气 相生长速度进行了优化，确定了3m删的生长速度， 得到了平界面生长的尺寸为矽20mm×30mm，电阻率高 达109Q·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单 晶体． 关键词： CdSe；晶体生长；气相提拉；平界面；生长 速度 中图分类号；0782 文献标识码：A 图l CdSe气相生长示意图 lSchematicOft11eCdSe 文章编号： 1001．973l(2007)增刊．4044．03Fig magram Vaporph硒egrOwt|l