量子点三维受限微腔地研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第七分册：其它 量子点三维受限微腔的研究 徐萍 章昊 （中科院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083，北京） 摘要：研究了半导体量子微腔对光场的作用，制备了半导体三维受限微腔。 关键词：半导体量子微腔 0 引言： 我们所研究的半导体中的光场限制作用主要是指半导体量子微腔（QMC)对光场的作用。这方面 的工作最早在 1992 年由C. Weisbuch 及其合作者所开创。借助QMC 结构，可以在同一个半导体结 构中同时对激子和光子的性质进行控制；通过改变结构设计，还可以控制激子与光场相互作用的强 度，从而随心所欲地制备出激子与光场处于不同耦合强度的结构。这对于器件方面的应用，如 VCSEL，具有非常重要的意义。 1．半导体量子微腔的基本性质 1．1 半导体量子微腔结构 主要分三部分 上反射镜 腔体 下反射镜 1．2 半导体量子微腔的性质： 由于Fabry-Pérot 腔在纵向（生长方向）限制了光场分布，形成了以λair(即设计发光频率在