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硅材料线切割表面损伤的研究 樊瑞新阙端麟 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 摘要本文利用台阶仪、扫描电镜(SEM)和X射线双晶衍射仪，研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面 切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大，外表面损伤大，但损伤层的厚度要小于常规 内圆切割硅片。本文还讨论了影响线切割硅片表面损伤的可能原因。 关键词切割表面损伤硅 1 引 言 随着大规模集成电路的迅速发展，器件制造对硅单晶的表面质量要求越来越高，硅片经 过切割、研磨和抛光后，加工损伤的程度和深度是硅片质量的关键问题之一。内圆切割机有 其优越性，如技术成熟，刀片稳定性好等等，有研究者近年已对内圆切割硅片的损伤及怍用 机理，作了较深入的研究，赵炳辉等认为损伤层近表面的微裂纹是使硅片强度大为降低的主 要原因【Il，杨德仁等认为内圆切割硅片在一定应力范围内，硅片的切割速率，不影响损伤层 厚度【2】。目前，硅片的切割，大多采用内圆切割，但随着单晶直径的增大，特别是12英寸以 上的硅单晶，内圆切割机显得力不从心．因此，硅片的线切割引起人们的注意。另一方面， 对线切割而言，线锯直径一般小于178pm，切割损耗较小，它是将200公里甚至豆长的线型 刀线，通过复杂的机械，绕成250条平行刀线，每次可同时切下250片，其产率是内圆切割 机的lO倍以上。而内圆切割机刀片厚度为300pm，明显宽于线切割机的线锯。线切割因加 工效率高，损耗少，适合大批量硅片3nS．，在国外太阳能电池的硅片切刮上，线切割得到广 泛的应用。由于线切割的优势，目前，国外正在研究如何将线切割技术应用到大直径硅单晶 上。作者利用扫描电镜、台阶仪研究了线切割硅片表面粗糙度，并利用x射线双晶衍射技术， 研究了硅片的表亟损伤大小及损伤层厚度，同时，还利用常规内圆切割硅片作对比实验，并 对所得结果进行了讨论。 2 实验样品及测试 本实验所用样品均为氩气保护100直拉硅单晶。线切割硅片由德国科耳公司提供，直 径为4英寸，厚度为383“m；内圆切割硅片由浙大半导体厂提供，直径为4英寸，厚度为 用CF．35扫描电镜观察硅片表面。在高倍放大3000倍时，两者切割表面形貌相似， 无明显区别。在放大100倍的条件下，分别拍摄线切割硅片和内圆切割硅片的表面状态， 图l、图2分别为线切割硅片和内圆切割硅片的表面形貌，发现线切割硅片有明显的切割 条纹，而内圆切割硅片则较平整，无切割条纹出现。说明线切割硅片表面要比内圆切割硅 片表面粗糙。 实验使用台阶仪，测定线切割硅片和内圆切割硅片的表面粗糙度。所用Decktak3型台 割硅片的表面高低差为6tma左右，如图3所示，而内圆切割硅片的表面高低差仅为3pm左 右，见图4，这进一步说明线切割硅片表面要比内圆切割硅片表面粗糙。 x射线双晶衍射对硅片应变层损伤非常敏感f31。X射线双晶衍射半峰宽越大，则其{疑： 面损伤越大，反之，则表面损伤越小。每进行一次X射线双晶衍射后，用HFjRR,40j=1■+ 3的腐蚀液逐层腐蚀硅片损伤层．然后，用灵敏度为0．Img的高精度天平称其重量．利 用称重法测算硅片的腐蚀厚度。从而得到损伤深度和半峰宽的关系。从图5、图6可以看 399 出，线切割硅片的最表面半峰宽要比内圆切割硅片的半峰宽大，即线切割硅片的最表面 损伤较大。 躅l线切割硅片的SEM表面形貌 图2内圆切割硅片的SEM表面形貌 7ffIfllffJff8fJ 圈3线切割硅片的表面租糙度 图4内圆切割硅片的表面粗糙度 (霉至§e)：z；k