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电子行业标准 《电子元器件详细规范CT52型圆片穿心瓷介电容器 评定水平E和EZ》 （征求意见稿） 编 制 说 明 一、工作简况 根据工业和信息化部电子第四研究院的安排，成都宏明电子股份有限公司负责修订电子行业标准SJ/T 10876-1996《电子元器件详细规范CT52型圆片穿心瓷介电容器 》（项目计划号为：2014-0440T-SJ）。本规范主要起草人为：何精华、董小婕。 按照项目计划，修订工作由公司总工程师办公室组织，各专业标准化人员牵头。首先对SJ/T 10876-1996标准内容与当前该类产品的技术水平和发展方向进行了分析对比，同时，公司瓷介电容器制造分厂技术部选定并生产了部分具有代表性的规格产品，进行了相关试验和摸底。2014年12月，相关起草人结合旧版标准，以及目前国内外相关标准的情况和摸底试验结果，按照对应的分规范和空白详细规范的要求形成了SJ/T 10876-201X《电子元器件详细规范CT52型圆片穿心瓷介电容器 评定水平EZ》的草案。2015年1月，由公司总工程师办公室组织，邀请了厂内电容器专家章锦泰（教授级高工），以及高级工程师：刘成荣、王倩倩、李悝、高秀华、徐兰、翟宇、杨玲等对标准草案进行审查评议，提出了修改意见。起草人根据评议结果和专家建议对草案进行了修正，最终形成了SJ/T 10876-201X《电子元器件详细规范CT52型圆片穿心瓷介电容器 评定水EZ》征求意见稿。 二、标准编制原则和主要内容 本规范是本规范是GB/T 5968-2011/IEC 60384-8:2005《电子设备用固定电容器 第9部分:分规范 2类瓷介固定电容》(idt)的相关详细规范。 是依据GB/T 5969-2012/IEC 60384-8-1:2005《电子设备用固定电容器 第9-1部分:空白详细规范2类瓷介固定电容器 评定水平EZ》规定的格式、编排和最低限度进行编制的。并对GB/T 7337-1987作如下编辑性修改： ——标志内容，增加电容器标志和包装标志； 该规范结合目前行业内的生产技术状况，参照相关标准的要求对原行业标准SJ/T 10876-1996《电子元器件详细规范CT52型圆片穿心瓷介电容器》进行修订，并按GB/T 1.1-2009和GB/T 20000.2-2009 给出的要求编写。规范的主要内容是扩展CT52型圆片穿心瓷介电容器的规格、明确试验方法和要求等。 三、本规范与SJ/T 10876-1996的主要差异 ——引用文件由GB/T2693-1986改为GB/T2693-2001；GB/T 5968-1986改为GB/T 5968-2011；GB/T 5969-1986改为GB/T 5969-2012；增加IEC 60410:1973 计数抽样检验方法和程序； ——对产品尺寸进行了系列化的扩展； ——对温度系数、电容量范围和额定电压进行了扩展； ——电容量允许偏差由+90% -20%，+100% 0%改为E3，E6；增加2C1； ——额定温度增加+125℃； —— 损耗角正切、绝缘电阻见GB/T5968-86中4.3.2、4.3.3改为GB/T5968-2011中4.3.2、4.3.3。 ——2.1.1条鉴定批准程序应按GB/T5968-86第3.4条改为鉴定批准程序应符合GB/T 5968-2011中3.4的规定； ——质量一致性检验的试验一览表（见表3）改为表6,更改内容： A组检验（逐批）增加A0分组，调整A0、A1、A2试验顺序。 B组检验B1分组增加“4.15标志耐溶剂性（适用时）”的相关内容。 C组检验（周期）C1A分组增加4.14元件耐溶剂性（适用时）的相关内容，C1B组增加“4.11冲击（或碰撞4.10）”的内容，“4.10碰撞”更改为“4.10碰撞（或冲击，见4.11）”，振动试验条件由“振幅：0.75mm或加速度98m/s2，取较小者”改为“振幅：0.75mm或加速度100m/s2，取较小者”，碰撞试验条件由“加速度390m/s2”更改为“加速度400m/s2”，C1分组中4.12.5低气压试验条件由“气压：8.5kPa”改为“气压：8.0kPa”。 所有分组的允许不合格数都改为0。 四、标准中如果涉及专利，应有明确的知识产权说明 本规范不涉及专利和知识产权问题，本规范的修订目的在于扩展并规范CT52圆片穿心瓷介电容器系列产品市场，为该电容器的生产，交收、运输和使用提供依据。五、产业化情况、推广应用论证和预期达到的经济效果等情况： 该类产品已在军民生产中广泛应用，且性能稳定优良，主要用于高频信号中，解决电磁兼容的传导干扰问题，但由于旧版标准的年代久远，规格品种少，环境适用性较差。本规范发布实施以后应进行贯彻，贯彻实施该标准能够有效避免生产厂家为节省成本而随意改