VHDL复杂数字系统设计 教学课件 作者 金西第1章.pptVIP

1.2.3 正向设计和逆向设计 复杂数字系统设计一般采用自顶向下的设计方法，所谓正向设计，也是一种自顶向下的设计方式，它包括从芯片设计到芯片封装的一系列过程。 正向设计的流程如图1-5所示。  (1) 系统描述(System Specification)。 系统描述包括系统功能、性能、物理尺寸、设计模式、制造工艺、设计周期、设计费用等。  (2) 功能设计(Function Design)。功能设计是将系统功能的实现方案设计出来，通常是给出系统的时序图及各子模块之间的数据流图。 (3) 逻辑设计(Logic Design)。逻辑设计是将系统功能结构化，通常以文本、原理图、 逻辑图表示设计结果，有时也采用布尔表达式来表示设计结果。  (4) 电路设计(Circuit Design)。 电路设计是将逻辑设计表达式转换成电路实现。  (5) 物理设计(Physical Design or Layout Design)。 物理设计(或称版图设计)是VLSI设计中最费时的一步。它要将电路设计中的每一个元器件(包括晶体管、电阻、电容、电感等)以及它们之间的连线转换成集成电路制造所需要的版图信息。 (6) 设计验证(Design Verification)。设计验证是在版图设计完成以后非常重要的一步工作。它主要包括设计规则检查(DRC)、 网表提取(NE)、电学规则检查(ERC)、版图网表结构与电路原理图对比(LVS)和寄生参数提取(PE)。  (7) 芯片制造(Fabrication)。 在复杂数字系统设计中，制造和设计是分离的，即所谓Fabless模式，一般先做好前端设计后， 由第三方公司针对某一特定工艺线(设计时已确定)进行整合， 制造出掩模版并到工艺线上流片。 (8) 封装和测试(Package and Test)。 在完成芯片制造后， 要进行封装和测试。安置在印制电路板(PCB)上的芯片可封装成双立直插式(DIP)或引脚阵列式(FGA)。用于多芯片模块(MCM， MultiChip Module)上的芯片可不封装。 图 1-5 芯片的正向设计流程 逆向设计主要用于分析、 仿制别人芯片设计， 其流程如下： (1) 提取横向尺寸。剖开芯片封装，进行分块扫描照相， 一般需放大几百倍以上，提取出芯片的复合版图； 把每张照片拼成整个芯片的复合版图；由产品的复合版图提取电路图、 器件尺寸和设计规则；进行电路模拟，验证所提取的电路是否正确；如果模拟正确，局部改造或创新，画出更先进的芯片版图。  (2) 提取纵向尺寸。用扫描电镜、扩展电阻仪等提取氧化层厚度、 金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。 (3) 测试产品的电学参数。 电学参数包括开启电压、 薄膜电阻、放大倍数、特征频率等。  (4) 确定工艺。有了纵向尺寸和电学参数后，可以确定芯片制造所需的工艺参数、工艺条件和工艺流程等。  由上述内容可见，在由芯片提取出电路图和逻辑关系后， 正向设计和逆向设计的设计过程都是一样的了。 1.3 EDA工具及其发展方向 1.3.1 选用适于复杂数字系统设计的EDA工具 1. 深亚微米技术对EDA工具的新要求 尽管EDA工具的发展日新月异，但也面临着巨大的技术障碍。这主要体现在高层次综合设计和深亚微米技术方面。  (1) 高层次综合设计尚未完善。高层次综合设计中的调度和分配本身就是需要研究的难题。尽管高层次综合设计中的各种算法对各种任务的处理取得了一些令人满意的结果，但整个系统的综合结果常常不能令人满意，仍有一些需要解决的问题， 如设计空间的有效搜索方法和数字系统的划分等。 (2) 深亚微米技术带来的新技术难题。采用深亚微米技术时， 由于工艺线由宽变窄，互连电阻和互连电容变大，因此，互连线网络对时序分析的影响和器件延时对时序分析的影响处在同等重要的位置。此外是功耗的挑战，器件在高速运行情况下的开关功耗通常会占到总功耗的70%～90%，这加重了器件散热的困难，并且导致器件可靠性下降。最后，在精确的延时性能指标下，将无法预期给定面积条件下的可布通性。 * 第一章 复杂数字系统设计与EDA工具发展趋势 第一章 复杂数字系统设计与EDA工具发展趋势 1.1 数字系统设计策略 1.2 数字系统的设计流程 1.3 EDA工具及其发展方向 复习思考题 1.1 数字系统设计策略 1.1.1 数字系