半导体技术基础 教学课件 作者 杜中一 主编 王永姚伟鹏 副主编 第5章 P N结.pptVIP

尚辅网 尚辅网 第5章 P-N结 * 尚辅网 采用掺杂制造工艺，在一块半导体中获得不同掺杂的两个区域P型区和N型区，这种P型和N型区之间的冶金学界面称为P-N结。 P-N结 尚辅网 5.1 P-N结及能带图 5.1.1 P-N结的制造及杂质分布 1.合金法 合金法制造P-N结如图所示，把一小颗铝（或铟）球放在一块N型单晶硅（或锗）片上，加热到一定温度，形成铝硅的熔（或铟锗）融体，然后降低温度，熔融体开始凝固，在N型硅（或锗）片上形成一含有高浓度铝（或铟）的P型硅（或锗）薄层，它和N型硅（或锗）衬底的交界面即为P-N结。 合金法制造P-N结 尚辅网 2.扩散法 扩散法制造P-N结，如图所示在N型硅单晶上，生长一层SiO2，通过光刻、扩散将P型杂质扩散入N型硅单晶中，形成P-N结，也称为扩散结。 扩散法制造P-N结 尚辅网 3.离子注入法 离子注入法是比合金法和扩散法都要新的掺杂技术，如图所示，把杂质元素，如硼、磷等，经过离子化后成为掺杂离子，通过电场对离子进行加速，利用磁场使其运动方向改变，这样就可以控制离子以一定的能量进入半导体内部，达到掺杂的目的，经过退火就形成了P-N结。 离子注入法制造P-N结 尚辅网 5.1.2 平衡P-N结 1.空间电荷区 当半导体形成P-N结时，由于结两边存在着载流子浓度梯度，导致了空穴从P区到N区，电子从N区到P区的扩散运动。对于P区空穴离开后，留下了不可移动的带负电荷的电离受主，这些电离受主没有正电荷与之保持电中性，因此，在P-N结附近P区一侧出现了一个负电荷区；同理，在P-N结附近N区一侧出现了由电离施主构成的一个正电荷区。 通常把在P-N结附近的这些电离施主和电离受主所带电荷称为空间电荷，它们所存在的区域称为空间电荷区，也称之为势垒区或耗尽层。 尚辅网 5-8空间电荷区 尚辅网 2.平衡P-N结的形成 电子的扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反，从而相互抵消。对于空穴，情况完全一致，因此没有净电流流过P-N结，即净电流为零。这时空间电荷的数量一定，空间电荷区不再继续扩展，保持一定的宽度，同时存在一定的内建电场。一般在这种情况下的P-N结称为热平衡状态下的P-N结，简称平衡P-N结。 3.平衡P-N结的能带图 4.平衡P-N结的载流子分布 对于绝大部分势垒区，其中杂质虽然都已电离，但载流子浓度比起N区和P区的多数载流子浓度小得多，好像已经耗尽了，所以通常也称势垒区为耗尽层。 尚辅网 独立的N型、P型半导体的能带图 平衡P-N结的能带图 尚辅网 5.2 P-N结的直流特性 5.2.1 P-N结的正向特性 当P-N结加有正向偏压时，即P区接电源正极，N区接负极，外加电压的方向与自建场的方向们相反，使空间电荷区中的电场减弱，这样就打破了扩散运动相漂移运动的相对平衡，使载流子的扩散运动超过漂移运动，扩散运动成为矛盾的主要方面。 P-N结加有正向偏压 尚辅网 5.2.2 P-N结的反向特性 当P-N结外加反向偏压时，外电场的方向与自建场的方向相同，增强了空间电荷区中的电场，载流于的漂移运动超过了扩散运动，漂移运动成为了矛盾的主要方面。 P-N结加有反向偏压 尚辅网 5.2.3 P-N结的伏安特性 将P-N的正向特性和反向特性组合起来，就形成了P-N结的伏安特性。 P-N结的伏安特性 尚辅网 5.3 P-N结电容 P-N结交界处存在势垒区，结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。P-N结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 5.3.1 势垒电容 当P-N结加正向偏压时，势垒区的电场随正向偏压的增加而减弱，势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少。 加反向电压升高时，一方面会使耗尽区变宽，会使P区的空穴进一步远离耗尽区，也相当于对电容的放电。 P-N结上外加电压的变化，引起了电子和空穴在势垒区的“存入”和“取出”作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，这和一个电容器的充放电作用相似。这种P-N结的电容效应称为势垒电容。 尚辅网 5.3.2 扩散电容 P-N结势垒电容主要研究的是多子，是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。 正向电压增加时，N区将有更多的电子扩散到P区，也就是P区中的少子电子浓度、浓度梯度增加。同理，正向电压增加时，N区中的少子空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反，正向电压降低时，少子浓度就要减少。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。