半导体技术基础 教学课件 作者 杜中一 主编 王永姚伟鹏 副主编 第11章 半导体集成电路设计方法与制造工艺.pptVIP

尚辅网 尚辅网 第11章 半导体集成电路设计方法与制造工艺 * 尚辅网 11.1 半导体集成电路设计方法 11.1.1 半导体集成电路设计发展的各个阶段 1.原始的手工设计 2.计算机辅助设计CAD 3.电子设计自动化EDA 4.电子系统设计自动化（ESDA） 5.用户现场可编程器件 尚辅网 11.1.2 当前集成电路设计的原则 1.积木化原则和积木单元最大化原则 2.接口标准化原则 3.建库原则 4.并行设计原则 5.早期验证原则 尚辅网 11.2 CMOS集成电路制造工艺简介 11.2.1 双阱CMOS工艺的主要流程 1.制备n型阱 2.制备p型阱 3.制备有源区 4.p型场注入 5.制备耗尽型MOS管 6.制备多晶栅 7.制备NMOS管的源漏区 8.制备PMOS管的源漏区 9.制备接触孔 10.制备第一层金属铝引线 11.制备第一层金属铝与第二层金属铝之间的连接通孔 12.制备第二层金属铝引线 13.钝化处理 尚辅网 11.2.2 隔离技术 1.浅槽隔离技术 1）局部氧化隔离技术（LOCOS） （1）基本的LOCOS 局部氧化隔离工艺流程图 尚辅网 鸟嘴的扫描电子显微镜示意图 尚辅网 （2）改进的LOCOS结构 PBL结构示意图 尚辅网 2）STI隔离技术 STI隔离技术的基本流程是先淀积氮化硅，然后在隔离区腐蚀出一定深度的沟槽，再进行侧墙氧化，用CVD法在沟槽中淀积SiO2，最后通过CMP法平坦化，形成沟槽隔离区和有源区。 * * *