半导体物理学简明教程 教学课件 作者 陈治明 第6章 异质结2011.pptVIP

第6章 异质结和纳米结构 6.1 异质结的构成及其能带 6.1.1 异质结的构成与类型 6.1.2 异质结的能带结构 6.1.3 界面态对异质结能带结构的影响 6.2 异质结特性及其应用 6.2.1 伏安特性 6.2.2 注入特性 6.2.3 光伏特性 6.2.4 异质结应用 6.3 半导体量子阱和超晶格 6.3.1 量子阱和超晶格的结构与分类 6.3.2 量子阱与超晶格中的电子状态 6.3.3 量子阱效应和超晶格效应 6.1.1 异质结的构成与类型 一、异质结的构成 1、晶格匹配 2、异质结材料 3、应变异质结 二、异质结的分类 1、反型异质结 2、同型异质结 一、异质结的构成 1、晶格匹配 异质结通常由两种不同性质的半导体单晶薄层构成，但在结合面须保持晶格的连续性，因而这两种材料至少要在结合面上具有相近的晶体结构。用两种单晶材料构成异质结必须满足晶格匹配和热匹配的要求. 在异质结物理中，通常将组成材料的晶格失配率?小于0.5%时的搭配称为晶格匹配，晶格失配率?大于0.5%时则视为晶格失配。 一般情况下将晶格失配率?定义为两种材料晶格常数之差的绝对值?a1-a2?与其晶格常数的平均值a=(a1+a2)/2之比。 对异质外延，?则通常定义为衬底材料与外延层材料晶格常数之差的绝对值?as-ae?与外延层晶格常数ae之比 热匹配本质上也是指的晶格匹配，即不同温度下的晶格匹配。 一些半导体对的晶格常数和晶格失配率 2、异质结材料 2、异质结材料 3、应变异质结 晶格失配会在异质结界面及其附近引入高密度的位错等电学缺陷，使异质结的性能降低。 但实验表明，如果两种材料的晶格常数不是严重失配，以一种材料为衬底外延生长另一种材料的薄层时，只要生长层足够薄，也可以形成高品质的异质结。这是应变作用的结果。 在进行晶格失配材料的异质外延初期，生长层中的原子首先会按照衬底材料的晶格常数来排列，而不是按照它们自己固有的原子间距。 随着应变层的增厚，应力逐渐积累到不能维持衬底晶格常数的程度，就要通过产生位错等缺陷来释放，并不再维持衬底的晶格常数而按自身的晶格常数生长。 因此，应变生长层都有一个临界厚度或称极限厚度。 二、异质结的分类 反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。 同型异质结：由导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。 一般都是把禁带宽度较小的半导体材料写在前面。 突变反型异质结：导电类型相反的材料变化的过度距离在几个原子(≤1μm)距离之内。 1、反型异质结 构成反型异质结的两种材料不仅能带结构不同，其导电类型也不相同。 例如由p型Ge与n型Si构成的结即为反型异质结，记为pn-Ge/Si或p-Ge/n-Si。如果Ge/Si异质结由n型Ge与p型Si构成，则记为np-Ge/Si或n-Ge/p-Si。 在器件应用中常见的反型异质结有:pn-Ge/Si，pn-Si/GaAs，pn-Si/ZnS，pn-GaAs/GaP，np-Ge/GaAs，np-Si/GaP，pn-InGaN/GaN等 2、同型异质结 构成同型异质结的两种材料只是能带结构不同，其导电类型相同。 例如nn-Ge/Si，nn-Si/GaAs，nn-GaAs/ZnSe，pp-Si/GaP，nn-Si/SiC等。 由于构成材料的禁带宽度相差很大，同型异质结往往也会产生较高的接触电势差，具有类似于同质pn结的单向导电性。 6.1.2 理想异质结的能带结构 一、突变反型异质结 1、热平衡状态下的能带结构 2、热平衡状态下的接触电势差和空间电荷区宽度 二、突变同型异质结 1、热平衡状态下的能带结构 2、同型异质结的势垒高度和势阱深度 一、突变反型异质结的能带结构 异质结的能带结构取决于形成异质结的两种半导体材料的电子亲和能、禁带宽度、导电类型、掺杂浓度和界面态等多种因素，因此不能像同质结那样直接从费米能级推断其能带结构的特征。 1、热平衡状态下的能带结构 根据费米能级的高低，在形成异质结的两种材料的界面，载流子由于密度差异而扩散从而使得界面载流子的发布发生改变，能带弯曲，并在结平面的两边形成空间电荷区 。 突变pn异质结在形成之前和形成之后的平衡能带图 当二者紧密接触时,由于n型费米能级较高，电子从n型半导体流向p型半导体，使n型半导体表面电子密度降低，能带上翘;同时p型半导体表面的空穴密度也随之降低,能带向下弯曲,直至结两侧半导体的费米能级相等,并在结平面的两边形成空间电荷区。 p-n Ge-GaAs突变反型异质结平衡能带图 结平面两边形成的空间电荷区中正、负电荷数相等，正、负空间电荷之间产