1.5-6.5+GHz+LNA+MMIC研究.pdfVIP

2005’全国微波毫米披会议论文集 1．5—6．5GHzLNA MMIC研究 曾志 王民娟刘如青 r奎章 (河北半导体研究所050051) 摘要：介绍了1．5-6．5GHzLNA MMIC的设计、制作和性能测试，包括有源器件 的设计、电路CAD优化、电磁场仿真等。微波测试结果为：f：1．5-6．5GHz Nf≤2．3dB VSWRout、VSWRin≤1．8 P、≥10dBm Gp一25dB △Gp：±0．6dB 1．引言 GaAs低噪声单片做人器的研究是为了满足微波放大器小型化的需求而进行 GHzLNA 的。近几年我们在低噪声单片做了很多研究T作，下面分别介绍1．5-6．5 MMIc的研究情况。 2．电路设计 2．1材料的选择 对于微波电路的研制和生产，除__广DC／RF性能外，产品的高成品率、高一 致性和好的稳定性都很重要，我们采用InGaP／InGaAsPHEMT材料，材料结构见图 层进一步将沟道电子同保留在掺杂层中的掺杂原子分开，8平面掺杂层， i InGaP势垒层，高注入的GaAs盖帽层形成低电阻的欧姆接触，在室温和77K该材 料的迁移率是4650c莳／V．s和10300cm2／V．S，相应的平面掺杂密度是2．27e12和 2．18e12，该材料有较高的能带间隙和不连续的化合键，不存在深能级陷阱(DX 中心)，有较好的热稳定性；采用合适的腐蚀液，可得§UInGaP和GaAs的高选择腐 蚀比，制作出夹断电压’致性很好的有源器件。 rt—GaAs i InGaP 6 i—In6aP i—InGaAs i-GaAs i AlGaAs i—GaAs S I．GaAsSubstrate 0．20u 图1：材料结构图 图2 m…T’型栅 2．2有源器件的设计 对于单片低噪声放大器，具噪声不仅与器件本身的最小噪声F。。有关，而且 还与器件的噪声电阻有关，小的噪声屯阻Rn能减弱因信号源阻抗失配对放人器噪 732 2005。全国微波毫米波会议论文集 声所产生的小利影响，由于宽带放人器的失配大，减小噪声电阻Rn尤为重要，因 此设计用丁宽带低噪声放大器的器件时，同时考虑F。。SHRn。 2 RefYsl Fn=Fnm，n+iji；R：i：ni：ii]Ys-Ysopt n F。。=10Jog[1+2KfC。。乎 Td、 1 Rn诋+(面丽’石丽 从(2)和(3)式可以看出，跨导是影响Rn的主要因素，减d、Cgs、Rg、Rs，增 大gm有利于降低器件的噪声。减d、Cgs的直接办法是缩短栅长，为了抵消缩短栅 长带来Rg增大对F…的不利影响，最有效的方法是用“T”形栅。栅偏源配置可以 降低Rs。提高材料的迁移率，适当提高载流予浓度，可提高gm。为了节省电路的 面积，器件采用梳状结构。源电极用空气桥跨接。为了满足噪声、增益以及P。的 要求，选择总栅宽400um的GaAsPHEMT器件做有源器件，其栅长为0．25um，单指 栅宽为i00um。我们采用电子束曝光系统，制作