InGaAs材料的光致发光研究.pdfVIP

苎!!旦全里坚旦!∑里兰查垒望丝苎叁 !里：堑垄望!!!!兰!旦!生堡旦 A18 InGaAs材料的光致发光研究 缪国庆金亿鑫蒋红宋航李军 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 130033 一、前言 u um(GaAs)至3．5m(InAs) 三元化合物半导体材料In。Ga。As，其截止波长可在0．86 m—1．7u 匹配的In。。Gao。，As已经表明它是用于O．9um近红外波段的一种合适的探测器 影响外延层的表面形貌、组分、生长速率、结晶、电学和光学性质对于获得高质量InGaAs 外延层是至关重要的。 的光致发光谱形状和半峰宽的影响，研究了In。。。Ga0；，As／InP的变激发强度和变温光致 发光谱，从而进一步分析InGaAs外延层的光致发光谱峰值随温度的变化。 二、实验 本实验采用我们研究组自己组装的LPMOCVD系统，此系统采用水平石英反应管，气 氮气吹干后送入反应室。 利用扫描电子显微镜和能谱仪观察样品表面形貌和测量外延层厚度。x一光双晶衍 射仪测量组分，衍射面为(004)。采用氩离子激光器作为激发源，液氮冷却的锗探测器 作为接收器，进行样品的光致发光谱测量。 三、结果与讨论 进行In。Ga。As外延层生长。为了保护InP衬底，我们在PH。气氛下，将衬底加热到生长 49 笙!!旦全璺坚旦!∑!堂查垒坚堡奎堡 !堕：塾苎垩!!!!竺!旦!业旦 延生长。样品厚度为1um。 InGaAs的光致发光谱半峰宽与生长温度的关系，半峰宽最窄是在生长温度为650。C。 生长温度低于650。C时，使得InGaAs外延层光致发光的发光强度减少和半峰宽增大，而 质量劣化，这主要是因为交界面产生的任意应力(由于生成InGaAsP形成的)和在交界 面形成缺陷导致。 半峰宽减小。这主要是由于随着V／IIILk增大，在外延层中有较少的V族空位可以利用， 形成缺陷的机会相对减小，而且表面形貌也变好，InGaAs本身的发光特性也随之变好。 随着缓冲层厚度的增加，InGaAs的光致发光谱半峰宽逐渐变窄，在缓冲层厚度为 0．5u m时，光致发光谱半峰宽最窄，当缓冲层厚度大于0．5um时，光致发光谱的半峰 宽基本保持不变。在InP衬底上生长缓冲层可以降低外延层的缺陷密度，提高材料的质 量，从而进一步提高InGaAs外延层的光学质量，当缓冲层到达一定厚度时，这个作用 基本上到了极限，因此InGaAs外延层的光致发光谱半峰宽就基本保持不变。 随着AsH。与PH。转换时间的延长，InGaAs光致发光谱的半峰宽变窄，然后随着转换 时间的继续增加，InGaAs光致发光谱半峰宽变宽。在转换时间为零时，AsH。与未排出的 时间较长，在非平衡的氢气气氛由于P分解而产生的P空位，这些空位将由进入反应室 的AsH。填充形成InAsP，也将影响InGaAs外延层的质量。 不同生长温度下InGaAs的10K光致发光谱。在550℃时，光致发光谱是有两个峰组 成，一个是近带边发光的峰，另一个是与施主一受主对相关的峰，在波长稍长一些，这 个峰是与低温生长碳沾污有关，随着生长温度的升高，这个峰消失，在630。C年1]650℃ 的光致发光谱中只有一个峰，而且在650℃光致发光谱的强度比630。C强，发光谱的半 峰宽也是650℃最窄。在生长温度为630。C一650℃时，能够获得较好的光致发光谱。当 生长温度到达680。C时，光致发光谱变成由两个峰组成，一个是近带边发光，另一个是 由于高温生长，InOaAs／InP界面产生缺陷，是一个与缺陷有关的发光峰。 在77K下我们进行变激发强度的光致发光研究，发光强度随激发强度增加而线性增 加。激发光强在一定范围内改变时，光致发光谱的峰值基本不变。随着激发强度的变化， 光致发光谱的形状也发生变化，半峰宽变宽。 InGaAs的变温光致发光谱