基于共振隧穿二极管的GaAs悬臂式声传感器研究.pdfVIP

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2017-08-19 发布于安徽
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基于共振隧穿二极管的GaAs悬臂式声传感器研究.pdf

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第19卷第5期传感技术学报 V01．19No．5 CHINESE OFSENSORSAND 2006年10月 JOURNAL ACTUATORS Oct．2006 of AcousticSensorBasedonResonant Diode ResearchCantilever Tunneling Zhao-min ZHANG Jian，XUE Bin-zhen，TONG Wen-dong。，WANGChen-yang，XIONGJi-jUn，ZHANG FDrElectronicMeasurement Shanxi (NationalLaboratory Technology，NoahUniversityofChina，Taiyuan030051，China) Key Abstract：The transformcharacteristicsofoscillatorbasedon Pressure-frequency resonant diode(RTD)havebeen resultsshowthatthe tunneling investigated．Theexperiment ticislinearandthe1inear is toO．84 the sensitivityup KHz／MPa．Usingpressure-frequency theGaAscantileveracousticsensorbasedonRTDis and thecontrolhole designedprocessedby ofRTD is the andmicro-mechanical firstly．and integration technologyimplemented． process sensor words：RTD acoustic Key oscillator；pressure-frequency；gaAs；cantilever E】巳峋C：2575D 基于共振隧穿二极管的GaAs悬臂式声传感器研究张文栋。，王建，薛晨阳，熊继军，张斌珍，仝召民 (中北大学电子测试技术国家重点实验室；山西太原；030051) 摘特性具有良好的线性特征，且其线性灵敏度达到0．84kHz／MPa．利用此压力一频率转换特性，首次设计并利用微机械控制孔技术加工制作了基于RTD的GaAs基悬臂式声传感器结构，实现了RTD与GaAs基微机械加工技术的工艺集成．关键词：RTD振荡器；压力一频率特性；GaAs；悬臂式声传感器中图分类号：TN3153；TN64 文献标识码：A 文章编号：l∞中1699(20％)05—2293—∞ 共振隧穿二极管(RTD)是当前纳米电子学中最有希望的器件之一，它是一种基于量子共振隧 RTD的振荡器的压力一频率转换特性．利用此特性，穿效应的负阻型器件[1]．在应力作用下，RTD的I-设计并利用控制孔技术加工制作了基于