半绝缘InP长单晶生长研究.pdfVIP

，H·_■●r■■?●’—噜I．m11tallee和生气-■qI綦●嚷 半绝缘InP长单晶生长研究 孙聂枫1’¨毛陆虹’郭雏康1周晓龙1杨瑞霞’张伟玉‘孙同年1 (1河北半导体研究所专用集成电路国家重点宴验室石寡庄050051)(’天津大学电于信息工程学院天津300072) (‘河北工业大学信息工程学院天津300130)(。天津农学院机电工程蕞天津300384) 摘要本文通过对高压液封直拉法[rip单晶生长过程的几个关键园素的分析，设计了合适的热场系统，有效地降低了享晶产生的几奉． 在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成，然后采用坩埔随动技术等重复生长了直径为50m，长190e“直径80-10妇． 长150ram的半绝缘磷化铟单晶． 关键词IllP。挛晶．直径 1．引言 磷化铟是一种重要的光电子和微电子基础材料，用于制造光纤通信用的激光器、探测器，网 络光通信用的集成电路以及高频微波、毫米波器件等[1]。 随着器件应用的不断拓展和成熟，要求衬底成本要尽量降低。从几何尺寸的角度讲，半导体 晶体单晶材料的发展趋势一是不断增大直径，另一个就是尽量将晶体拉长。日本曾报道过长700mz 直径和坩埚初始位置及装料量的多少对LEC法生长的GaAs单晶锭长度都有影响。这些因素显然对 生长较长的111P单晶同样具有重要的影响。InP单晶之所以难以长得比较长，主要是长单晶非常 容易出现孪晶。因此，减少孪晶的产生一直是磷化铟单晶生长技术的研究重点[4]。生长100晶 向较长磷化铟单晶的技术已成为磷化铟晶片大批量生产必须解决的关键技术。实验研究己表明， 由于磷化铟的堆剁层错能在常见的几种半导体材料中最低，磷化铟单晶的生长过程中极易出现孪 晶，尤其是生长较长的单晶更加困难，严重地制约着成晶率的提高，这使得作为衬底材料的磷化 铟晶片的价格很高[5]。 Hurle和Zhao等分析了磷化铟晶体生长中的孪晶现象和产生机理，从理论上解释了磷化铟晶体 生长容易出现孪晶的主要原因[6]，分析了孪晶出现的主要规律，他们认为孪晶产生的主要条件有： (a)晶体生长过程中一个11l生长小平面附着于三相界面；(b)小平面上的温度过冷度超过临 界值时使得孪晶的产生比沿原有晶向生长的界面能降低，对于LEC-InP而言，温度起伏(过冷度) 的最大值为150C；(c)生长晶体的外表面的晶向使其切向形成一个孪晶晶核，产生一个111晶向 的平面。由于111平面的自由能低于其它的晶格平面，孪晶晶核的自由能比原有的晶向晶核的自 由能低。这些条件的满足与放肩角的大小有关(放肩角定义为晶体生长方向与晶锭表面切线的夹 的研究认为孪晶的出现与放肩角度无关。实际工艺中几乎各种放肩角度都可以生长出无孪晶单晶， 但一些角度的放肩过程比较平稳，容易控制。因此无论怎样，大家的共识是减少晶体生长过程中 孪晶出现几率的关键是保持坩埚内熔体中的温度起伏小，晶体生长有足够的动力。其他干扰因素 小等几个关键点。由于磷化铟晶体生长是在气压高达4MPa和温度为10620C的条件下进行，由气流 和熔体的对流造成的温度起伏很大。这必然要求设计的热场能够有效地减小坩埚内的熔体和炉内 气体的对流的影响[6]。本文通过调整InP晶体生长的热系统，生长了总长210m．单晶部分达到 190口m长的2英寸100晶向的半绝缘InP单晶，对于3英寸、4英寸的单晶长度达到了150ram。 第十_●★■％●■+■_．ttI_■￡t●-●^●4 广Il●2006●11月 2实验条件和方法 单晶生长是在自己设计制造的高压单晶炉内进行的。我们使用内径140ram的石英坩埚，生长 英寸)磷化铟单晶，掺杂剂为Fe或FeP。。采用B20a作为液封荆，生长方法为高压液封直拉法。拉 晶的速率控制在10-15m1／h。生长磷化铟单晶所用的多晶料是采用炉内磷注入法合成的。拉晶时 炉内的氩气压力保持在35—45个大气压。 3实验结果及分析 3．1热场及热场配置 任何单晶生长系统中最重要的显然是热场及热场配置。晶体生长所需的温度梯度的控制包括 径向和轴向，控制固液界面形状。控制措施包括：1．合理的温度梯度以控制合理的固液界面形状。 总体来讲，凸向熔体的界面形状最容易生长单晶。2．必须要有足够的温度梯度，过于平坦的梯度， 造成生长动力不足，小的温度起伏就容易造成孪晶。3、热流模型分析，明确生长中的热过程。我 们在实验中发现，生长较长的(100)InP单晶的热场的温度分布要求非常严格，否