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ESD EOS 资料 EOS和ESD比较 一、什么是EOS？ EOS为Electrical Over Stress的缩写，指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。 EOS通常产生于： 1.电源(AC/DC) 干扰、电源噪声和过电压。 2.由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒），很短的EOS 脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。 3.闪电。 4.测试程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰。 5.测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件。 6.来自其他设备的脉冲信号干扰，即从其他装置发送的脉冲。 7.不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理 8.接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速转换引起高电压） 二、什么是ESD？ ESD是英文Electrical Static Discharge的缩小，中文释为静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其他物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害。生产过程中静电防护的主要措施为静电泄露、耗散、中和、增湿，屏蔽与接地。人体静电防护系统主要有防静电手腕带，脚腕带，工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成，具有静电泄露，中和与屏蔽等功能。静电防护工作是一项长期的系统工程，任何环节的失误或疏漏，都将导致静电防护工作的失败。 三、对比区别 EOS 由电源和测试设备产生，事件持续时间在微秒-秒级（一般超过100uS甚至10mS ?????????? (1)人体活动引起的摩擦起电是重要的静电来源，带静电的操作者与器件接触并通过器件放电。??????????? (2)器件与用绝缘材料制作的包装袋、传递盒和传送带等摩擦，使器件本身带静电，它与人体或地接触时发生的静电放电。??????????? (3)当器件处在很强的静电场中时，因静电感应在器件内部的芯片上将感应出很高的电位差，从而引起芯片内部薄氧化层的击穿。或者某一管脚与地相碰也会发生静电放电。??????????? 根据上述三种ESD的损伤途径，建立了三种ESD损伤模型：人体带电模型、器件带电模型和场感应模型。其中人体模型是主要的。??????????? 2.2 ESD损伤的失效模式??????????? (1)双极型数字电路??????????? a.输入端漏电流增加??????????? b.参数退化??????????? c.失去功能??????????? 其中对带有肖特基管的STTL和LSTTL电路更为敏感。??????????? (2)双极型线性电路??????????? a.输入失调电压增大??????????? b.输入失调电流增大??????????? c.MOS电容(补偿电容)漏电或短路??????????? d.失去功能??????????? (3)MOS集成电路??????????? a.输入端漏电流增大 b.输出端漏电流增大 c.静态功耗电流增大 d.失去功能??????????? (4)双极型单稳电路和振荡器电路??????????? a.单稳电路的单稳时间发生变化???????????? b.振荡器的振荡频率发生变化???????????? c.R.C连接端对地出现反向漏电??????????? 2.3 ESD对集成电路的损坏形式??????????? a.MOS电路输入端保护电路的二极管出现反向漏电流增 b.输入端MOS管发生栅穿???????????? c.MOS电路输入保护电路中的保护电阻或接触孔发生烧 毁??????????? d.引起ROM电路或PAL电路中的熔断丝熔断??????????? e.集成电路内部的MOS电容器发生栅穿??????????? f.运算放大器输入端(对管)小电流放大系数减小??????????? g.集成电路内部的精密电阻的阻值发生漂移???????????? h.与外接端子相连的铝条被熔断??????????? i.引起多层布线间的介质击穿(例如：输入端铝条与n+、间的介质击穿)??????????? 2.4 ESD损伤机理??????????? (1)电压