中长波InAs%2fGaSb超晶格材料及探测器研究.pdfVIP

中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究 王国伟 王娟 邢军亮 徐应强 任正伟 贺振宏 牛智川 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室 摘要：中长波(3～5μm，8～14μm)红外波段探测技术，在军事上广泛应用于夜视、导弹制导、通 信等方面。扩大了作战的时域、空域，在诸多方面提高了武器的威力和环境适应性。在民用上可实现 特殊环境下的工业故障检测、医疗诊断和环境污染分析等。红外探测器作为红外系统的核心，经历了 从PbS、InSb、HgCdTe等体材料到量子阱、超晶格等新型低维材料体系，从单元、线列到大规模焦平 面的发展过程。目前第一、二代红外探测器所采用的HgCdTe、QWIPs、 InSb、PtSi、PbS等材料因自 身性质缺陷[1]，不能全面满足第三代红外系统及焦平面的要求。探索第三代新型红外半导体光电子材 料研制出高性能、大面阵、双色、低成本的新型红外探测器成为近年来的研究热点。特别是双色探测 （中/短波、中/长波）性能，不仅可以探测目标，还可以识别目标，在导弹抗干扰制导和医用双色段 热像仪等领域有很大的需求。与HgCdTe、InSb等体材料和QWIP多量子阱结构相比，InAs/GaSb超晶 格具有独特的Ⅱ型能带结构，微带带隙可在2μm～32μm区间任意调整，对俄歇复合具有较好的抑制作 用，且作为Ⅲ-Ⅴ组材料，其外延均匀性较高[2]。超晶格材料具备的这些优点使其成为实现下一代高性 能中、远红外探测器的最理想材料，是近年来国际上红外探测技术研究的重点。