宽带高功率微波探测器.pdfVIP

宽带高功率微波探测器 范菊平黄文华张治强章勇华王宏军杨志强宁辉 (西北核技术研究所) 摘要本文介绍了一种新颖的同轴结构宽带高功率微波探测器，给出了它的设计、结构 以及工作原理。理论上预测了它的功率容量及电压灵敏度。给出了宽带咿M探测器的测试和 标定方法及结果。实验结果表明，同轴结构宽带胛M探测器在x、S、C波段有相似的灵敏度． 均能较好地工作，其功率容量不小于40kW(1岫脉冲宽度)，电压灵敏度较波导法兰式探测器 有成倍的提高。与传统的波导法兰式探测器相比，宽带IFM探测器不仅具有工作频带宽、电 压灵敏度高的特点，而且结构紧凑，使用方便。 关键词同轴宽带探测器电压灵敏度 } X 一、 引 言 在高功率微波技术研究中，脉冲功率的测量一直是富有挑战性的课题。90年代初，前 苏联科学家首先研制出半导体探测器“1，2000年，西北核技术研究所研制出新型的x波段 高功率微波半导体探测器，该半导体探测器应用N型硅片作为传感器，使电压灵敏度提高 了一个量级”1。同时还研制了c波段和s波段的探测器。这些探测器均采用波导结构，各 个波段的探测器结构尺寸互不相同，所配吸收负载的尺寸也不相同。因此，各个波段的探 测器不能互相通用。考虑到同轴结构的宽带性，本文设计、研制了一种同轴结构的HPM探 测器，下面分别介绍其设计、测试、标定及其结果。 二、设 计 1、传感器设计 半导体探测器依靠半导体材料的热载流子效应工作的。参考文献[3]和[4]中，有关半 导体热载流子效应的阐述均只是阐明了载流子迁移率与电场强度的关系，并没有提及电场 的频率。这就说明在一定的频率范围内，载流子迁移率对电场频率可能是不敏感的，载流 子迁移率与电场频率的关系是可以忽略的。因此用半导体材料作为宽带的传感器在理论上 是可行的。 在参考文献[2]中，用同一种半导体材料加工成传感器芯片，利用强场下的热载流子效 应分别研制了X波段和S波段的探测器，并且进行了标定，得到了相似的灵敏度曲线。这 就表明，传感器芯片的热载流子效应对微波频率确实是不敏感的。 因此，在同轴探测器中依然采用适当掺杂浓度的N型硅片，加工成1×2×2m0的传感 器芯片，芯片的电阻在40～500之间，与测量电路的输入阻抗较为匹配。在探测器的设计 一458— 中，重要考虑的是探测器其他电路结构和参数的宽频带响应问题。 2、结构设计 考虑到探测器的功率容量、特性阻抗及应用时的连接等因素，设计的探测器结构为 L16—50型同轴结构，如图1所示。微波信号从端口l输入，端口2为直流偏置输入及探测 信号输出口，端口3接吸收负载。 图1 HPM同轴探测器结构示意图 圈2HPM同轴探测器实物图 L16—50型同轴结构的内导体的外直径d=3n，外导体的内直径D=7m，因此此同轴结 构的特征阻抗和理论功率容量为… zf601n(D／d)(Q)=50．8 (1) 和 盼等-n(％叫。c㈣ ∽ 考虑到探测器腔体内可能出现的毛刺以及不均匀性等因素，实际的功率容量要比理论值要 H左右。 小，一般为理论值的25％~30％。因此，探测器的实际功率容量应该在40 3、探测器性能 这里主要讨论探测器的电压灵敏度。电压灵敏度u定义为每H微波功率探测器输出的 电压幅度，其物理本质为半导体芯片电阻率随电场的变化关系。根据新型高功率微波半导 体探测器的研究成果“1，轻掺杂硅片的电阻率与外加强电场在一定范围内成线性关系，即 P—E。又因为输出电压与电阻率P成线性关系，即V—E，因此用同样芯片的探测器的电 压灵敏度u与腔体内的电场成线性关系，即u—E。在同样的传输功率下，L16—50同轴结构 内的电场约为BJ一100波导的2．6倍，因此L16—50同轴结构探测器的电压灵敏度应该是 敏度