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引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩探测器 张帅黄永清 陶彦耘张欣宋海兰任晓敏王琦黄辉 北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京，100876 摘要：本文报道了一种在倍增区引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光电探测器。将Al0.4Ga0.As-Al0.2Ga0.8As-GaAs梯 度结构置于探测器的高场区，并结合吸收区与倍增区分离的设计，从而实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化。 理论分析表明，该结构探测器具有较小的噪声(keff≈0.1)，约33GHz的3dB带宽 （G≈5），在G＝15时可获得420GHz的增益带 宽积。 关键词：雪崩光探测器 ;增益带宽积 ;频率响应 ;过剩噪声因子 ;AlGaAs带隙梯度结构 ;RCE-SAM-APD Resonant-CavityEnhancedAvalanchePhotodiodeswith GradedImpact-Ionization-Engineered MultiplicationRegion ZHANGShuaiHUANGYong-qingTAOYan-yunZHANGXinSONGHai-lan RENXiao-minWANGQi,HUANGHui KeyLaboratoryofInformationPhotonicsandOpticalCommunications,MinistryofEducation, BeijingUniversityofPostsandTelecommunications,Beijing100876,China Abstract:Thispaperpresentsanovelstructuraldesignaboutresonantcavityenhancedavalanchephotodiodes(RCE-APD)with Al(x)Ga(1-x)Asgradedimpact-ionization-engineeredmultiplicationregion.Thenoisecharacteristicsandfrequencyresponseoftheava lanchephotodiodescanbeoptimizedbyplacingthestructureofAl0.4Ga0.6As-Al0.2Ga0.8As-GaAsinthehighfieldregionandusing separateabsorptionandmultiplicationregion(SAM).Throughtheoreticalanalysis,whenthethicknessesofAl0.4Ga0.6As,Al0.2Ga0.8 AsandGaAsare28nm,10nmand50nmrespectively,thisdevicehasachievedalownoise(keff≈0.1),abandwidthashighas33 GHzinaappropriate-gainregimeandarecordgain-bandwidthproductabout420CHzwhengainoftheAPDis15. Keywords:avalanchephotodiode; gain-bandwidthproduct; frequencyresponse; excessnoisefactorAlGaAs; RCE-SAM-APD 创作的工艺复杂度。 『分离的谐振腔增强型雪雕 -驰.2Gao.8As-GaAs带隙， 皆振腔反射镜 以降低DBR 卜方面性能更加优越的新！ 耋穴的电离系数 （卢）可j .994105exp[-(6.8· 215lOSexp[- (6.5j ，本文首次在计算中充分j 争别计算出不同电场强度_F 雪崩电离的阈值能量，e为一 雪崩倍增过程是一个复杂自 系数七毋可以得到其过剩呀 ∞)+”..^『l(∞)+生’P(∞)+%‘P.(∞ ∞．．[1-o)2LC+jwRC] 王感、总电容和总电阻值。 立的公式为 VL工-j‘．一JHJ__研，1：=±j=j，1q／U^7卜17、=，’H玎O 奠获得420GHz的增益带宽积 。il 低了器件