有机%2f无机光探测器的研制及性能的测试分析.pdfVIP

第九届全国LED产业研讨与学术。岔议论文裹 有机／无机光探测器的研制及性能的测试分析+ ——————————_————————————————h●^———，————————●●_—————————一 张福甲 冯煜东 兰州大学物理科学与技术学院 兰州 730000 摘要：本文报道了有机半导体材料PTCDA在Sj表面形成同型异质结制成的光电探测器原理； 并将这种嚣件的光电性能与光电二极管PD和雪崩光电二极管APD的性能进行了全面对比研究．结 果表明这种有机／无机光探测器的性能高ff-PD和APD，并且生产成本很低，有广阔的应用前景和巨 大的经济效益。 有机薄膜作为电子材料的显著特点是与无机材料不存在良好晶格匹配的条件下，可以生长出高质量的 dianhydride)一 (PTCDA)在各种无机材料衬底上可以形成有序层，并且具有单斜晶系结构。它的价带和第一紧束缚导带之 半导体的表面形成肖特基势垒。图2是这种有机／无机材料形成的同型异质结在热平衡状态下的能带图。实 验表明，在真空中将PTCDA蒸发沉积到光洁无氧化层P《谇十底的表面，其沉积薄膜是择优取向的。虽然 在其更高的能量范围内，存在着紧束缚带。因此，这样一些允许的量子态之间有更多的能量闾隙是可以存在 的。所以，这种有机／无机异质结的界面有一个极薄的界面层存在着允许空穴占据的量子态。 PTCDA 。 } 图1 PTCDA的分子结构 围2在平衡状态下PTCDA／P—Si的能带结构 {本研究项目得到了国家自然科学基金的资助(N060276026) 135 第九周全田LED产业研讨与学术会议论文秦 我们研制的矾℃DA／P—si光电探测器，是有机及无机两种禁带宽度Eg不同的半导体材料形成的同型异质 结器件。对于异质结光电探测器，由于宽带隙材料可用作光功率的透射窗口，使器件最重要的参数——量子 效率并不严格依赖于结与表面的距离。另外，异质结可提供独特的材料组合，使得对于给定的光信号波长， 能做到量子效率和响应速度皆优。此外异质结光电探测器产生的光生载流子存在于结的附近而不在表面， 所以这种光电探测器的高频响应好。在工艺上对材料的表面条件要求不十分严格。因此其成品率较高。在 波长小于1“m的波段内si单晶材料是目前广泛使用的衬底材料。在可见光到近红外光它有比较合适的吸收 更有利用于减少光电探测的暗电流并提高它对温度的稳定性。PTCDA是芳香蔟有机化合物，具有半导体的 性质；有很高的热稳定性，且不易氧化和水解。它能在各种衬底材料上形成有序层。在晶格失配的情况下，能 够生长出高质量的分子薄膜。其分子晶体具有单斜晶系结构。利用这种有机半导材料PTCDA，与si衬底形成 的同型异质结光电探测器，它不仅具有很高的量子效率，同时其电学参数的均匀性及一致性也很好。在上述 基础理论深入研究的同时，经过大量的单项实验及系统试制工作，成功地研制出PTCDA／P—Si同型异质结半 06 倍，光电转换的量子效率近于90％；积分灵敏度为0．48A／W；具有很好的光电性能；并且工作电压低。经低温 性。 上述新型有机／无机异质结光电探测器的光、电参数及其性能与单晶Si作为衬底，经氧化、扩散、光剂、溅 性能高于进口的PD，APD。 136