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微机系统原理及应用 内存: CPU能通过总线直接访问的存储体。主存的存取速度快，但容量有限。 内存通过地址线、数据线和控制线CPU连接 外存: 或称辅存，外部存储介质和相应的存储设备。它也用来存放信息，但当CPU要用到这些信息时，必须先将信息存放到内存中去。外存的容量扩充可以不受限制，成本较低，但存取速度较慢。 内存单元的编址和内容 内存包含有很多存储单元(每个内存单元包含8bit)，为区分不同的内存单元，计算机对每个内存单元进行编号，内存单元的编号就称为内存单元的地址。 存储器的读操作 存储器的写操作 存储器的原理框图表示 A0~A15:地址线， 输入 D0~D7:数据线,双向三态 控制线: 选片线:输入 (Write Enable):写信号控制线，输入 (Output Enable):输出允许控制线，输入，连接系统的 信号 主要性能指标 1）容量(b,B的区别) 2）读写周期 从地址有效，到数据稳定的时间，加恢复时间。 存取速度必须尽可能接近CPU的要求，目前的趋势，CPU速度始终高于存储器。 先进微处理器中设置Cache(高速缓冲存储器) 3)功耗 移动设备对功耗十分敏感。存储器功耗是设备功耗的一部分。 存取速度有关，速度高，功耗越大。 低电压器件(3.3V和1.8V)。 4)其它(可靠性，工作寿命) * * 第4章 存储器与存储管理 存储器概述 存储器概述 存储器概述 ROM（Read Only Memory) 运行状态只读，非易失性，永久或半永久性存放信息 RAM (Random Access Memory) 运行时可被CPU读写，易失性，存放程序和数据 存储器概述 ROM主要用来存储固定程序和常数表格。 只读通常指计算机运行期间只读，信息不易挥发，掉电也不丢失 初试信息如何存储? 掩膜ROM: 半导体制造过程的最后一道掩膜工艺，根据用户提交的存储内容决定MOS管的连接方式，制作成芯片后用户不能更改。掩膜适合于成熟大批量生产。 PROM（Programmable Read Only Memory）出厂时空白,未存储信息，采用通用编程器，将程序或数据一次性写入，以后无法更改，现在PROM实际应用不多。 EPROM（Eraseable Programmable Read Only Memory）是可擦除、可编程只读存储器。 UVEPROM 紫外线擦除 EEPROM 电擦除(目前实际应用较多) 存储器概述 读取，原数不变; 写入，原数被新数覆盖 RAM存放数据，程序代码，也可分配为堆栈 RAM可以分为静态和动态两类 SRAM(Static RAM) 每一位是个触发器双稳态结构 写入SRAM,如果电源正常，不会自行挥发。 但在同样的芯片体积下，集成度较低。 DRAM(Dynamic RAM〕依靠MOS管的极间电容存储信息，集成度高，动态RAM的存储容量大。 由于电荷容易泄漏，所以需要周期性刷新，刷新电路通过“读出——写入”电路来再生极间电容上的电荷。一般2ms刷新一次。集成度高。 1 0 1 1 0 1 1 0 8F04H 内存单 元地址 内存单 元内容 . . . . . . 7 6 5 4 3 2 1 0 表示: (8F04H)=B6H 存放一个字时，较低的位一般放在较低的位置上。00100110 A0-A15 D0-D7 * *