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软失效的原理和应对方案的研究 浙江中控技术股份有限公司，浙江杭州，310053 摘要本文从芯片软失效的原理出发，介绍了诱发芯片发生软失效的各类触发源（封装材料中放射性元素产生的α粒子，宇宙射线的高能中子和低能中子），并详述了由芯片软失效引起的各种常见后果（单比特错误，多比特错误和栓锁），最后从半导体芯片厂商和芯片应用商的角度提出了几种应对芯片软失效问题的方案和措施，诸如奇偶检验，纠错码和比特交织等。 关键词α粒子The Soft Error Principle and Response Programs Research ZHENG Xin, Jiang Zhuxuan,Luo ZhijunZhejiang SUPCON Co., Ltd., Hangzhou, Zhejiang, 310053 Abstract: From the principle of chip soft error, the article introduces the various types of trigger source induced soft error(Alpha particles from package decay, High energy neutrons from cosmic rays and Thermal neutrons), and details the common consequences caused by soft error(Single bit upset, Multi bit upset and Single event latch-up). Finally, several programs and measures to deal with chip soft error are proposed from the perspective of semiconductor chip manufactures and chip application providers, such as Parity Protection, ECC and Bit interleaving. Keywords: Soft Error, Alpha particles, High energy neutrons, Thermal neutrons, SBU, Latch-up, ECC 1 引言 产生电子空穴对，α粒子芯片的软失效率SER单位一般表示为FIT（Fails In Time），即每109个小时芯片发生软失效错误数根据芯片存储容量的不同通常都表示为FIT/Mb。其中1 FIT/Mb = 1 fail per 109 hrs per 106 bits = 10-15 fail/bit-hour 本文从软失效的原理出发，详细介绍了导致芯片软失效的各类触发源及其触发源环境因素的影响和限制最后从半导体芯片厂商和芯片应用商的角度提出了几种应对芯片软失效问题的方案和措施，诸如奇偶检验，纠错码和比特交织等。2 软失效的触发源 导致存储器芯片发生软失效问题的主要触发源有： ① 芯片封装材料中放射性元素衰变产生的α粒子。芯片管壳封装材料中含有的U、Th等放射性元素，其原子核裂变时会释放出α粒子。 然而这类α粒子的触发源，受工作环境的影响较小，一般不会受到工作地点和的影响。即使外界环境中α粒子源，因α粒子穿透性差，也很难会诱发芯片发生软失效问题。 ② 宇宙射线的高能中子。来源于宇宙和太阳系的高能中子本身并不带有电荷，但是它会被芯片的原子核捕获，产生附属的带电粒子，如α粒子和氧原子核等，进而引发芯片的软失效问题。 这类触发源受到环境，在不同的高度和地点（地磁场强度、障碍物）条件下，高能中子的密度不一样，所以发生软失效的概率变化很大。 目前关于高能中子防护措施较少，所以当前宇宙射线的高能中子已为芯片发生软失效问题最触发源。 ③ 低能中子。BPSG非常好的绝缘特性，且具有熔点低，耐压高优点，因此被广泛应用到芯片内层作为绝缘体材料。其中B元素有两种同位素10B和11B。低能中子本身也不带有电荷，不会直接改变芯片内部存储单元的内容，但是它会和芯片内部绝缘体材料BSPG中的10B元素发生原子反应，产生α粒子和7Li，如下式所示。 10B + n → 7Li (0.84MeV) + 4He (1.47MeV) + gamma (0.48MeV) (1) 这些高能粒子(4He (1.47MeV)和7Li(0.84MeV))都会对晶体撞击产生电子空穴对，从而导致存储单元的存储内容发生改变。低能中子触发源受到外界的影响很大，诸如外部中子放射源就极易诱发芯片发生软失效问题。 由于低能中子极易引起芯片