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2012级测中期测试试题.doc
2012级生物医学工程专业《模拟电子技术》第一章至第五章测试题
学号: 姓名: 分数:
题号 一 二 三 四 得分
一、选择题(每小题2分,共30分)
1、图中场效应管为( ) A、增强型N沟道 B、增强型P沟道C、耗尽型N沟道D、耗尽型P沟道
2、二极管两端加上正向电压时( )
A.一定导通 B.超过死区电压才能导通
C.超过0.7伏才导通 D.超过0.3伏才导通
3、三极管处于饱和状态时,三极管的发射结和集电结分别处于( )
A.发射结和集电结都处于正偏 B.发射结处于正偏,集电结处于反偏
C.发射结处于反偏,集电结处于正偏 D. 发射结和集电结都处于反偏
4、对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( )
A. 三极管可以把小能量放大成大能量 B. 三极管可以把小电流放大成大电流
C. 三极管可以把小电压放大成大电压 D. 三极管可用较小的电流控制较大的电流
5、影响放大器静态工作点稳定的最主要因素是( ) A.温度的影响 B.管子参数的变化 C.电阻变值 D.管子老化
6、场效应管是一种 器件,三极管是一种 器件( ) A.两者都是电压控制 B.两者都是电流控制 C.前者为电压控制,后者为电流控制 D.前者为电流控制,后者为电压控制
7、 直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为( )。
A. 晶体管的非线性 B. 电阻阻值有误差
C. 晶体管参数受温度影响 D. 静态工作点设计不当
8、 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是( )。
A. B.
C. D.
9、 在25oC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35oC时,下列哪组数据可能正确:( )。
A Uth≈0.525V,IS≈0.05pA B Uth≈0.525V,IS≈0.2pA
C Uth≈0.475V,IS≈0.05pA D Uth≈0.475V,IS≈0.2pA
10、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入1 kΩ负载电阻后输出电压降为1 V。则该放大电路的输出电阻为( ) 。
A. 不能确定 B. 1 kΩ C. 0.25 kΩ D. 3 kΩ
11、 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。
A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴
12、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定
13、 ( )情况下,可以用H参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号
14、 关于BJT放大电路中的静态工作点(简称Q点),下列说法中不正确的是( )。
A. Q点过高会产生饱和失真 B.Q点过低会产生截止失真
C. 导致Q点不稳定的主要原因是温度变化 D.Q点可采用微变等效电路法求得
15、 基本组态双极型三极管放大电路中,输入电阻最大的是___________电路。
A. 共发射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 不能确定
16、 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。
A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移
17、理想集成运放具有以下特点:( )。
开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞
B. 开环差模增益Aud=∞,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0
C. 开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=∞
D. 开环差模增益Aud=0,差模输入电阻Rid=∞,输出电阻Ro=0
18、关于三极管高频参数,下列说法中不准确的为( )。
A. B.
C. D.
19、 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。
A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂
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