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2SC4095晶体管产品规格书.pdf
2SC4095 NPN 高频低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技
2SC4095 NPN TRANSISTOR
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
1. 简述：
本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、 Top view
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小结电容特性；
主要应用于超高频微波、VHF 、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级小信号放
大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤传
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输中的中继放大器等产品； SOT143B
集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V ，最大集电极电流：IC=30mA,集电 3 4
极耗散功率：PC=150mW，特征频率：fT=10GHz；
采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 和 SOT143R 表
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面贴塑封;
SOT143R
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