PSPICE应用晶体管电路的典型实例.docVIP

PSPICE应用晶体管电路的典型实例 ? 例1：电路如图所示，图中R=10kW，二极管选用1N4148，且Is= 10 nA，n=2。对于VDD=10V和VDD=1V两种情况下，求ID和VD的值，并与使用理想模型、恒压降模型和折线模型的手算结果进行比较。 ? ? ? 解：进入Schematics主窗口，绘出图所示电路，并设置好参数。其中二极管的Is= 10 nA，n=2要进入模型参数修改窗修改（先选中二极管，再选择菜单中Edit|Model|Edit项，单击Instance Model(Text)可打开模型参数修改窗）。 设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，并将参数分析(Parametric)中设置电压源VDD为两个列表值10V和1V。仿真后在输出文件中得到如下结果： 当VDD=10V时，ID = 0.941 mA，VD = 0.589 V 当VDD=1V时，ID = 55.9 uA，VD = 0.441 V 所得结果与手算接近。 ? -----------------------------------------------------------------------------------------------------例2：一限幅电路如图所示，R=1kW，对于VREF =3V，二极管及参数仍与例1相同。 （1）试绘出电路的电压传输特性vO = f（vI）； （2）当VI =Vi = 6sinwt（V）时，试绘出VO的波形。 ? ? ? 解：设置直流扫描分析(DC Sweep)和瞬态分析(Transient)，得到如下图的结果。可以看出电路对Vi的限幅作用。 ? ? ---------------------------------------------------------------------------------------------------- ? 例3： 共射极放大电路如图所示。设BJT为NPN型硅管，型号为2N3904（b=50）。电路参数为：Rc= 3.3 kW，Re= 1.3 kW，Rb1= 33 kW，Rb2= 10 kW，RL = 5.1 kW，Cb1 = Cb2 = 10 mF，Ce = 50 mF（Re的旁路电容），VCC = 12 V。试用PSPICE程序作如下的分析：（1）求Q点；（2）作温度特性分析，观察当温度在-30℃～+70℃范围内变化时，BJT的集电极电流IC的变化范围。 ? ? ? 解：进入Schematics主窗口，绘出图LT_01a所示电路，并设置好参数。其中三极管的b=50要进入模型参数修改窗中（先选中三极管，再选择菜单中Edit|Model|Edit项，单击Instance Model(Text)可打开模型参数修改窗），将Bf的值改为50。 设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，同时设置直流扫描分析(DC Sweep),对温度进行-30℃～+70℃的线性扫描。 （1）仿真后在输出文件中得到静态工作点：IB= 33.1 mA，IC = 1.4 mA，VCE= 5.52 V （2）在Probe窗口中得到IC随温度变化的曲线如图所示。由图中看出温度在-30℃～+70℃变化时，IC由1.2724mA变到1.4864mA。 ? --------------------------------------------------------------------------------------------例4：电路如图所示。设BJT的b =80，rbb’ (rb)= 100 W。试分析电压增益的幅频响应和相频响应，并求fL和fH。 ? ? ? 解：在模型参数修改窗中，将BJT的Bf值改为80，Rb的值改为100。设置交流分析(AC Sweep)，仿真得到如图所示幅频响应和相频响应的波特图。由图得到fL = 167.592Hz，fH = 4.55811 MHz。 （b）电压增益的幅频响应 ? （c）电压增益的相频响应 ? ---------------------------------------------------------------------------------------------------- ? 例5：电路如图所示。设BJT的b=50，rbb’ (rb)= 100 W，VBE = 0.7 V。试分析Ce在1mF到100mF之间变化时，下限频率fL的变化范围。 ? ? ? 解：在模型参数修改窗中，将BJT的Bf值改为50，Rb的值改为100，Vje的值改为0.7。设置交流分析(AC Sweep)和参数分析(Parametric)。在参数分析中设置Ce取列表值1mF、5mF、10mF