P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用.pdfVIP

　第 37卷 第 3期 　 　　 　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　Vol. 37　No. 3 　 　 2008年 6月 　　　　　　　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S 　　　　　　　 　June, 2008 P型 ZnO 薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用 1, 2 1 1 1 1 2 焦宝臣 , 张晓丹 , 赵 　颖 , 孙 　建 ,魏长春 , 杨瑞霞 ( 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 ;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 ; ( ) ) 光电信息技术科学教育部重点实验室 南开大学 ,天津大学 ,天津 30007 1; 2. 河北工业大学信息工程学院 ,天津 300 130 ( ) 摘要 :利用超声雾化热分解技术 U SP 、通过 N A l共掺的方法 ,在 corn ing 7059衬底上生长出 p 型透明导电膜 。该 薄膜在可见光范围内的透过率可达到 90%以上 。X射线衍射的测试结果表明: p 型透明导电膜具有 c轴择优生长 特性 。通过霍耳测试得到 p 型 ZnO 薄膜的电学特性为 : 电阻率为 4. 2 1 Ω ·cm 、迁移率是 0. 22 cm2 / (V ·s) 、载流子 浓度为 6. 68 ×1018 cm3 。此材料初步应用到微晶硅电池中 ,其开路电压为 0. 47 V 。 关键词 : ZnO 薄膜 ; P型 ;透明导电薄膜 ;太阳电池 中图分类号 : 0484 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2008) 030602 04 Fabr ica tion of P Type ZnO Th in F ilm and Its A pplica tion in Solar Cells 1, 2 1 1 1 1 2 J IA O B aochen , ZHAN G X iaodan , ZHA O Ying , SUN J ian , W E I Chang chun , YAN G R u ix iao ( 1. In stitute of Photoelectron ic s Th in F ilm D evice and Techn ique; Key L aboratory of