ZnO薄膜的制备及应用研究进展.pdfVIP

第 41卷第 6期 江 苏 陶 瓷 Vo1．41，No．6 2008年 12月 JiangsuCeramics December,2008 7 ZnO薄膜的制备及应用研究进展 胡 国华 ．陈建平 (中园地质大 学 (武汉 )材料科学与化学工程学院 ，武汉 430074) 摘 要 ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料 。具有很好 的化学稳定性和热稳定 性，抗辐射损伤能力强，在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的 应用潜力。本文主要介绍制备ZnO薄膜 的技术和方法，并简要的介绍了ZnO薄膜的 应用进展。 关键词 ZnO薄膜 ；制备；应用 I’ 朋 舌 ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料， 与GaN相 比具有相近 的晶格常数和禁带宽度 ，原料 廉价易得，而且具有很高的熔点和激子束缚能，以及 良好的机 电耦合性和较低 的电子诱生缺陷。此外， ZnO薄膜 的外延生长温度较低 ．有利于降低设备成 本 。抑制固相外扩散 ，提高薄膜质量 ，也易于实现掺 杂。ZnO薄膜所具有的这些优异特性，使其在表面声 波器件、太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用。随 图 2 ZnO 晶体 的立体结构示意 图 着 ZnO光泵浦紫外受激辐射的获得和 n型掺杂 的 1 ZnO薄膜的制备 实现，ZnO薄膜作为一种新型的光 电材料 ，在紫外探 多种薄膜制备方法，如磁控溅射、喷雾热分解、脉 测器、发光二极管、激光二极管、紫外光探测器、透 明 冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学气相沉 电极气敏传感器以及光波导等有着广泛的应用前 积、溶胶凝胶法等，都可用于Zn薄膜 的制备 ，并且可 景[1]。 以调控薄膜的性能和参数 。本文仅对其 中几种工艺 ZnO晶体为六方纤锌矿结构，六方晶系，空间 较为成熟、目前研究较为热的制备方法进行评述 。 群为P63m，晶格常数 a=0．3246am、c=0．5203nm2[~， 1．1 化学气相沉积法 图 1和图2是根据文献翻用 Atoms61程序画的结构 化学气相沉积(CVD)是合成各种形态ZnO的最 图。ZnO薄膜天然存在着锌间隙与氧空位，为极性 有效的方法之一。 目前认为这种方法主要经历了气 半导体，呈 n型。优质的ZnO薄膜具有 c轴择优生 固过程或气液固过程 ．即蒸发源材料在升温过程 中 长，ZnO薄膜是一种理想 的透 明导电薄膜，可见光 汽化 ，蒸汽在特定的温度 、压力和原子气氛条件下沉 透射率高达 90％，电阻率可低至 l0 Q ·cm。 积到基底上，得到了各种形貌的纳米粒子 ZnO纳米 结构薄膜。 阮伟东3[1的研究中将等量的ZnO固体粉末和活 性炭粉末(1～8g)充分混合、研磨，置于CVD管式炉中 央作为挥发源。在挥发源后不同温度区间放置表面 分散金纳米粒子的石英片作为沉积产物的基片 f将 2～3滴 10 mol／L的金溶胶滴在石英片上 自然晾干)。 实验时控制管式炉内气压小于 0．02标准大气压。载 气为氩气f或混